完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5694個(gè) 瀏覽:220272次 帖子:1132個(gè)
開(kāi)關(guān)電源芯片U8621的主要特點(diǎn)
超結(jié)功率MOSFET在高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,適用于需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的場(chǎng)合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,突破了傳統(tǒng)硅極限?,...
2025-01-03 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源芯片 754 0
先進(jìn)碳化硅技術(shù),助力簡(jiǎn)化半導(dǎo)體設(shè)備設(shè)計(jì)
通過(guò)利用單一封裝形式和功率拓?fù)?,ATDI 的電源簡(jiǎn)化了其客戶的設(shè)計(jì)和鑒定過(guò)程,從而更輕松地將電源集成到工藝和測(cè)試設(shè)備。這還減少了制造/組裝終端客戶的負(fù)擔(dān)...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極源極間電壓的動(dòng)作-SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí),本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個(gè)主題的前提。
反激式轉(zhuǎn)換器源自反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,使用耦合電感器或反激式變壓器(其匝數(shù)比乘以輸入電壓)替代了電感器。圖1為反激式轉(zhuǎn)換器的基本電路圖。當(dāng)MOSFET開(kāi)...
2023-04-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變壓器 752 0
簡(jiǎn)述關(guān)于穩(wěn)壓器的六問(wèn)
線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較,并對(duì)通流器件進(jìn)行調(diào)整以維持...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器差分放大器 751 0
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,因此不會(huì)立即流過(guò)過(guò)大的直通電流。所以即使流過(guò)了直通電流,也具有足夠的冷卻能...
負(fù)載電容對(duì)電源轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程的影響
理想的電源轉(zhuǎn)換器需要無(wú)論負(fù)載如何變化都保持輸出電壓穩(wěn)定。在實(shí)際應(yīng)用中,負(fù)載瞬態(tài)期間選擇不合適的輸出電容會(huì)導(dǎo)致過(guò)高的紋波電壓和浪涌電流,從而影響電源轉(zhuǎn)換器...
2024-10-28 標(biāo)簽:電容器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 749 0
MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管,可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意,齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-03-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 748 0
固態(tài)繼電器的現(xiàn)代設(shè)計(jì)思維
晶閘管與功率MOSFET通常控制交流負(fù)荷。晶閘管是一個(gè)閉鎖裝置,在柵極接收到電流脈沖時(shí)開(kāi)始導(dǎo)電并將持續(xù)導(dǎo)電,直到電流降為零。晶閘管系列包括SCR和TRI...
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開(kāi)關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來(lái)越多的產(chǎn)品中。無(wú)論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開(kāi)關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開(kāi)關(guān) 744 0
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
全方位解剖MOS管 功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1):等效電路 (2):說(shuō)明: 功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān)...
雙相高效移動(dòng)CPU電源將尺寸和熱應(yīng)力降至最低
筆記本電腦對(duì)計(jì)算能力的需求不斷增加,顯著增加了CPU時(shí)鐘頻率和電源電流。即將推出的移動(dòng)CPU需要高達(dá)25A的核心電流來(lái)處理復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)。傳統(tǒng)的單相解決...
2023-06-26 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 742 0
GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量,這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難,空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。
65W副邊外驅(qū)MOS充電器芯片U2281是一個(gè)高度集成的PWM控制集成電路的反轉(zhuǎn)換器,專門為需六級(jí)能效的開(kāi)關(guān)電源而設(shè)計(jì)的。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 740 0
利用碳化硅簡(jiǎn)化全球設(shè)備設(shè)計(jì)
通過(guò)利用單一外形尺寸和電源拓?fù)?,ATDI的電源簡(jiǎn)化了將電源集成到過(guò)程和測(cè)試設(shè)備中的客戶的設(shè)計(jì)和認(rèn)證過(guò)程。這也減輕了晶圓廠/裝配終端客戶的負(fù)擔(dān),因?yàn)榧词顾?..
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |