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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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TPS54620 4.5V至17V、6A同步SWIFT?降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54620 采用熱增強(qiáng)型 3.50mm × 3.50mm QFN 封裝,是一款功能齊全的 17V 6A 同步降壓轉(zhuǎn)換器;該器件具有高效率且集成了...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器TPS54620 737 0
通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器輸出晶體管的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗
本文將談一談使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí),通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗。之所以討論這個(gè)話題,是因?yàn)樵偕鷷r(shí)的實(shí)際功耗...
2023-03-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī) 736 0
通過(guò)三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率(仿真)
繼上一篇中通過(guò)雙脈沖測(cè)試進(jìn)行損耗比較的內(nèi)容之后,本文中我們將對(duì)本系列文章的評(píng)估對(duì)象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進(jìn)行比較。MOSFET與雙脈沖測(cè)試中使用的...
安森美解讀區(qū)域控制架構(gòu)的市場(chǎng)趨勢(shì)
區(qū)域控制架構(gòu)的出現(xiàn)是為了應(yīng)對(duì)汽車行業(yè)的快速變化,尤其是電動(dòng)汽車的興起。低壓配電和車載網(wǎng)絡(luò)已取得重大進(jìn)步;分布式區(qū)域配電則簡(jiǎn)化了線束結(jié)構(gòu),使重量得以減輕,...
當(dāng)今電源 IC的高度發(fā)展要求性能卓越的功率電感。構(gòu)建通用封裝的標(biāo)準(zhǔn)電源將有助于減少設(shè)計(jì)時(shí)間和生產(chǎn)成本。 而要在 PCB 空間以及散熱和成本效率方面實(shí)現(xiàn)最...
同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計(jì)等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳...
通過(guò)自舉擴(kuò)展運(yùn)算放大器工作范圍
當(dāng)現(xiàn)成的運(yùn)算放大器(op amp)不能提供特定應(yīng)用所需的信號(hào)擺幅范圍時(shí),工程師面臨兩種選擇:使用高壓運(yùn)算放大器或設(shè)計(jì)分立解決方案,不過(guò)這兩種選擇的成本可...
2023-04-13 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器跟隨器 721 0
蘋果在2020年的秋季新聞發(fā)布上,突然宣布取消附贈(zèng)標(biāo)準(zhǔn)5V/1A手機(jī)適配器,這一變化催生了零部件市場(chǎng)大功率適配器需求的再次繁榮。
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 720 0
EMP平臺(tái)的電動(dòng)汽車動(dòng)力喪失事件與車輛的ICC(集成控制充電單元)故障之間存在明顯的關(guān)聯(lián),ICCU負(fù)責(zé)為HV(高電壓)電池和LV(低電壓)12V電池供電...
2023-08-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET晶體管 720 0
氫能的四大應(yīng)用場(chǎng)景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡(jiǎn)介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點(diǎn)介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來(lái)有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
MAX1954為300kHz電流模式降壓控制器。MOSFET 驅(qū)動(dòng)器足夠強(qiáng)大,可以處理 100nC 柵極電荷。給定標(biāo)稱輸入和輸出電壓,占空比為33%,高...
2023-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 718 0
如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓
上一期,我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓?,F(xiàn)在,我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。
2024-11-04 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器MOSFET 718 0
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技巧分享
了解您所面臨的設(shè)計(jì)權(quán)衡非常重要。為了幫助你,在降壓設(shè)計(jì)中開(kāi)發(fā)了一個(gè)“影響什么”的矩陣
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET示波器降壓轉(zhuǎn)換器 717 0
AiP44531/AiP44532通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器參數(shù)
AiP44531/AiP44532是一款通用單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器,可以替代由分立元件組成的推挽電路,直接驅(qū)動(dòng)IGBT,功率MOSFET,繼電器等功率開(kāi)關(guān)。...
2024-12-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源管理 717 0
輕負(fù)載時(shí)開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
輕負(fù)載時(shí)開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
2023-12-14 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開(kāi)關(guān)元件 715 0
使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前,先探討了 Si...
工業(yè)電池充電器的PFC級(jí)拓?fù)鋵?duì)比
工業(yè)設(shè)備正在向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型,亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動(dòng)工具到重型機(jī)械,其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)...
現(xiàn)代設(shè)備智能化和可定制程度不斷提高,用戶也提出更小、更強(qiáng)大的要求。處理能力的增強(qiáng)推動(dòng)了以更高功率密度管理散熱的技術(shù)需求。MPS始終致力于創(chuàng)新并創(chuàng)建具有尖...
SiC模塊解決儲(chǔ)能變流器PCS中SiC MOSFET雙極性退化失效痛點(diǎn)
碳化硅(SiC) MOSFET的雙極性退化(Bipolar Degradation)是其在實(shí)際應(yīng)用中面臨的重要可靠性問(wèn)題,尤其在儲(chǔ)能變流器(PCS)等高...
概述安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及,因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥?wèn)題已得到解決,并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 711 0
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