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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5694個 瀏覽：220258次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

      快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對車載電源設(shè)計挑戰(zhàn)

      CMF02A是一款具有高速開關(guān)用途的FRD二極管，與典型二極管相比，F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時間（trr），因此具有更快的開關(guān)時間和更低的損耗。當(dāng)然，C...

      2022-08-07 標(biāo)簽：二極管MOSFET直流電 685 0

      MOSFET熱阻參數(shù)解讀

      MOSFET熱阻參數(shù)解讀

      MOSFET的熱阻（Rth）用來表征器件散熱的能力，即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封料等材料向散熱器或者環(huán)境傳遞過程中所遇到的阻力，單位...

      2025-06-03 標(biāo)簽：芯片MOSFET封裝 680 0

      充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢

      充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢

      介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

      2023-10-09 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 680 0

      LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊

      LM74610-Q1 0.48V 至 42V、零 IQ 汽車?yán)硐攵O管控制器數(shù)據(jù)手冊

      LM74610-Q1 是一款控制器器件，可與 N 溝道 MOSFET 配合使用。 反極性保護電路。它旨在驅(qū)動外部 MOSFET 以模擬 與電源串聯(lián)時的理...

      2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET整流器保護電路 677 0

      MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

      MOSFET在消費類電子產(chǎn)品的應(yīng)用

      PC電源是一個無工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效率高和過流過壓保護的特點。

      2024-10-08 標(biāo)簽：MOSFET充電器穩(wěn)壓電源 677 0

      SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

      SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

      在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。

      2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動電路SiC 676 0

      mosfet選型要考慮哪些因素？

      mosfet選型要考慮哪些因素？

      功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應(yīng)用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝...

      2023-08-25 標(biāo)簽：MOSFETcpu控制芯片 676 0

      電源管理芯片U6620S為產(chǎn)品品質(zhì)加持

      睡眠儀是一種緩解焦慮、輔助治療失眠物理療法，安全、非侵入性、非藥物，沒有局限性和副作用，而且適用的人群更為廣泛，是現(xiàn)下正火熱的智能電子產(chǎn)品。

      2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET電源管理芯片反激變換器 676 0

      圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實現(xiàn)承諾的效率增益

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      互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰首先創(chuàng)造了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞，但它一定是在異想天開和靈感的時刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中，該電路可以實現(xiàn)功率...

      2023-02-17 標(biāo)簽：MOSFETPFCSiC 674 0

      70mΩ受保護負(fù)載管理開關(guān)

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      為了節(jié)約能源，許多電池供電電路中都采用了簡單的關(guān)斷方案。然而，并非所有電路都適合直接控制，相反，電源必須通過開關(guān)關(guān)閉。LTC?1477 高端開關(guān)專為此目...

      2023-06-26 標(biāo)簽：電源MOSFET微處理器 673 0

      技術(shù)資料#UCC5304 5kVrms，4A/6A單通道隔離柵極驅(qū)動器，帶5V UVLO，適用于GaNFETs和MOSFETs

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      UCC5304器件是一款隔離式單通道柵極驅(qū)動器，具有 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流。它旨在驅(qū)動 PFC、隔離式 AC/DC、DC/DC 和同步整...

      2025-02-25 標(biāo)簽：MOSFET光耦合器柵極驅(qū)動器 673 0

      SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭頭部的安裝位置

      SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭頭部的安裝位置

      關(guān)鍵要點?除了測量位置之外，探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi)，就會受到磁通量變化的影響，而體現(xiàn)在觀測波形上。

      2023-02-09 標(biāo)簽：電流MOSFET探頭 673 0

      SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力

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      碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可，例如電動汽車(EV)牽引逆變器和車載充電器、快速電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機驅(qū)動器、光伏、儲能、固態(tài)變...

      2024-07-15 標(biāo)簽：電動汽車MOSFET碳化硅 672 0

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      現(xiàn)代家長都希望自己的孩子能夠贏在起跑線上，為未來的學(xué)習(xí)和事業(yè)打下堅實的基礎(chǔ)。幼兒啟蒙裝備市場早已興起，互動、點讀、故事、音樂、語數(shù)英教育為一身的認(rèn)讀機、...

      2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFETemi電源管理IC 667 0

      低邊SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為

      低邊SiC MOSFET導(dǎo)通時的行為

      本文的關(guān)鍵要點?具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC M...

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器SiC 667 0

      仁懋MOSFET在智能穿戴上的科技應(yīng)用

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      隨著科技的飛速發(fā)展，智能穿戴產(chǎn)品已成為現(xiàn)代生活的必須。在這個追求個性與便捷的時代，仁懋電子憑借其高性能的MOSFET產(chǎn)品，為智能穿戴市場注入動力。今天，...

      2024-11-15 標(biāo)簽：MOSFET智能穿戴仁懋電子 667 0

      如何精準(zhǔn)提取MOSFET溝道遷移率

      如何精準(zhǔn)提取MOSFET溝道遷移率

      溝道有效遷移率（μeff）是CMOS器件性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)測量方法在高k介質(zhì)、漏電介質(zhì)與高速應(yīng)用中易出現(xiàn)誤差。本文介紹了UFSP（Ultra-Fast...

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      該RY8310是一種高頻，同步，整流，降壓，開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個非常緊湊的解決方案，可在寬的輸入電源范圍內(nèi)提供1A的連續(xù)電...

      2024-06-24 標(biāo)簽：MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換IC 666 0

      一篇非常詳細(xì)的MOSFET基礎(chǔ)介紹

      　　電池電壓一般是在12V以下，我們就將其看作12V。19V電源呢，我們也可以當(dāng)作一個大電池，那么一個19V的電池和一一個12V的電池如下相連，導(dǎo)線中電...

      2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFETMOS管 664 0

      安森美SiC MOSFET在超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用

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      如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。

      2024-12-24 標(biāo)簽：MOSFET安森美PFC 663 0

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        +關(guān)注
        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        海思
        +關(guān)注
      • STM32F103C8T6
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
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        循跡小車
        +關(guān)注
        做單片機的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識，它是自動引導(dǎo)機器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動自動循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識吧！
      • LM2596
        LM2596
        +關(guān)注
        LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動電流，同時具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        光模塊
        +關(guān)注
        光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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        Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個電子設(shè)計都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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        基站測試
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
      • 靜電防護
        靜電防護
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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