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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5667個 瀏覽：220304次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

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      2023-02-24 標(biāo)簽：放大器MOSFET功率放大器 3039 0

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      2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFETDCMVDD 1255 0

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      2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFETPWM驅(qū)動電機 2102 0

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      2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET步進電機驅(qū)動電路 3925 0

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      納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515，專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET，IGBT而設(shè)計

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器IGBT 1888 0

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      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1320 0

      SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

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      本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器SiC 1440 0

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      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1138 0

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      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET元器件SiC 473 0

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      探討高輸出電流應(yīng)用時的注意事項 其2

      上一篇文章中，介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時應(yīng)該注意的兩個注意事項中的第一項。關(guān)鍵要點是要想提高輸出電流，需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET，提高開關(guān)速...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET電感輸出電流 906 0

      探討高輸出電流應(yīng)用時的注意事項 其1

      探討高輸出電流應(yīng)用時的注意事項 其1

      上一篇文章介紹了輸入電壓升高時損耗增加的部分、注意事項及相應(yīng)的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時應(yīng)該注意的兩個事項之一。探討高輸出電流應(yīng)用時的注...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET輸出電流開關(guān)損耗 1071 0

      探討高輸入電壓應(yīng)用時的注意事項

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      上一篇文章探討了通過提高開關(guān)頻率來實現(xiàn)應(yīng)用小型化時的注意事項。本文將通過輸入電壓升高的案例，來探討損耗增加部分、注意事項及相應(yīng)的對策。

      2023-02-23 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET輸入電壓 1054 0

      DC/DC評估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計算示例

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      此前計算了損耗發(fā)生部分的損耗，本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進行計算的例子。電源IC的功率損耗計算示例（內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC），...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET損耗電源IC 1997 0

      DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗

      DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的柵極電荷損耗

      本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動相關(guān)的損耗，即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器電荷 946 0

      DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

      DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

      上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工...

      2023-02-23 標(biāo)簽：MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器開關(guān)損耗 1422 0

      MOS原來還有這些使用技巧

      MOS管通常是指MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的簡稱。MOSFET是一種常用的場效應(yīng)晶體管，它的核心部件是氧化物門介質(zhì)，能夠通過改變柵極電...

      2023-02-22 標(biāo)簽：模擬電路MOSFET晶體管 814 0

      IGBT的等效電路

      IGBT的等效電路

      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管...

      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 8552 0

      IGBT的優(yōu)缺點

      IGBT的優(yōu)缺點

      簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動...

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      IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)

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      2023-02-22 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率 2225 0

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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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