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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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用碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管代替機(jī)械斷路器
在工程界有一句古老的格言——“如果它移動(dòng),它就會(huì)斷裂”。我們都知道,像風(fēng)扇或繼電器這樣的機(jī)械設(shè)備通常是第一個(gè)發(fā)生故障的東西,在關(guān)鍵系統(tǒng)中,您需要一個(gè)先發(fā)...
2023-02-20 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 526 0
從碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管晶體管中獲得最佳性能
性能是一個(gè)主觀術(shù)語(yǔ) - 它可以以任意多種方式進(jìn)行衡量,但在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,它歸結(jié)為兩個(gè)相互依賴的主要值,效率和成本。眾所周知,硅作為半導(dǎo)體開關(guān)材料在傳導(dǎo)和...
耗盡模式和增強(qiáng)模式MOS管是什么?有什么區(qū)別?
耗盡型 MOSFET 類似于開路開關(guān)。在此模式下,施加?xùn)艠O到源極電壓 (VGS) 以關(guān)閉器件。當(dāng)柵極電壓為負(fù)時(shí),正電荷會(huì)在通道中累積。這會(huì)導(dǎo)致溝道中的耗...
GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié) 功率MOSFET的開通和關(guān)斷過程原理
實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容,三個(gè)溝道電阻,和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān),而門極的溝道電阻一...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了...
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管的使用優(yōu)勢(shì)
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電子元件,它可以控制電流或電壓,通過改變極化層的電場(chǎng)來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)、JF...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 5656 0
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
MOSFET的原理 MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
MOSFET是一種半導(dǎo)體器件,屬于可控硅器件,也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),它可以用來控制電流和電壓。
根據(jù)前這兩期的內(nèi)容,我們已經(jīng)設(shè)計(jì)了一個(gè)實(shí)際可以用的放大器,我們可以根據(jù)這些知識(shí)設(shè)計(jì)出五倍、十倍的放大器,但是當(dāng)我們要生產(chǎn)成千上萬這種放大器的時(shí)候,我們就...
如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路
上一期介紹了共源級(jí)放大電路的工作原理,本期利用這個(gè)理論知識(shí)看看如何設(shè)計(jì)一個(gè)共源級(jí)放大電路。
圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實(shí)現(xiàn)承諾的效率增益
互聯(lián)網(wǎng)不知道是誰(shuí)首先創(chuàng)造了“無橋圖騰柱功率因數(shù)校正階段”一詞,但它一定是在異想天開和靈感的時(shí)刻發(fā)明和命名的——在 AC/DC 電源中,該電路可以實(shí)現(xiàn)功率...
這種布置的要點(diǎn)是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個(gè)全橋交流整流器,然后是一個(gè)功率因數(shù)校正升壓電路,但實(shí)際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2331 0
當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)通時(shí)的故障對(duì)策
上一篇文章中介紹了故障①“當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)”的對(duì)策,同時(shí)也提到了相應(yīng)對(duì)策的注意事項(xiàng)。本文將介紹當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動(dòng)作而導(dǎo)...
當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)的故障對(duì)策
截至上一篇文章,結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計(jì)算相關(guān)的介紹。接下來將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認(rèn)及其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格的確認(rèn)工作。本文開...
2023-02-17 標(biāo)簽:PCB轉(zhuǎn)換器MOSFET 905 0
提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-電源規(guī)格和替代電路
上一篇文章中大致介紹了用于設(shè)計(jì)的ICBM1R001xxF系列的概要,從本文開始將進(jìn)入具體的設(shè)計(jì)。在此再次回顧一下,該設(shè)計(jì)案例的目的是使用二次側(cè)同步整流控...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET整流電路 1567 0
提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-設(shè)計(jì)步驟
在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)”系列中,將使用二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列,介紹將二極管整流的AC/DC轉(zhuǎn)換...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET整流電路分流穩(wěn)壓器 1649 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 小結(jié)
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”,本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。一個(gè)...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1102 0
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