不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可不可以用SVF4N65F的場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)替換路過(guò)的幫幫忙
2017-04-11 09:25:10
場(chǎng)效應(yīng)管不導(dǎo)通，LED能亮嗎？
2023-10-17 07:09:53
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
場(chǎng)效應(yīng)管與脈沖變壓器配合使用時(shí)，應(yīng)注意哪些參數(shù)，謝謝各位大俠啦！
2015-05-25 14:51:31
再用場(chǎng)效應(yīng)管做采樣保持電路，這里有電容以及控制場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)的脈沖，但實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，電容的選擇以及脈沖的構(gòu)造都出現(xiàn)了問(wèn)題。無(wú)法實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。下面是電路圖。謝謝了
2013-05-26 23:24:36
場(chǎng)效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。2、判定柵極 用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說(shuō)明均是正向電阻，該管
2013-03-27 16:19:17
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的代替嗎
2017-04-10 13:04:42
場(chǎng)效應(yīng)管SVD4N65F可以用SVF4N65FTO-220F 的場(chǎng)效應(yīng)管代替嗎
2017-04-10 13:05:24
好東西呀：場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法
2012-07-28 14:13:50
場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場(chǎng)效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場(chǎng)效應(yīng)管的作用 1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作
2019-05-29 06:18:14
場(chǎng)效應(yīng)管的作用1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。 2、判定柵極 用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很
2021-05-13 06:55:31
場(chǎng)效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問(wèn)題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒有完全關(guān)斷。這是場(chǎng)效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問(wèn)題？怎么讓場(chǎng)效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛
2009-04-25 15:38:10
的功能與三極管相似，可用來(lái)制作信號(hào)放大器、振蕩器等。由場(chǎng)效應(yīng)管組成的放大器基本結(jié)構(gòu)有三種，即共源極（S）放大器、共柵（G）放大器和共漏極（D）放大器，如下圖所示。 由于場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器
2020-12-01 17:36:25
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、I DSS — 飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓U GS=0時(shí)的漏源電流
2009-04-25 15:43:12
場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別： 場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某
2009-04-25 15:43:42
場(chǎng)效應(yīng)管的特性是什么場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有哪些場(chǎng)效應(yīng)管怎么選用？場(chǎng)效應(yīng)管的選用注意事項(xiàng)？
2021-04-20 06:49:52
場(chǎng)效應(yīng)管廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)電路比較簡(jiǎn)單。場(chǎng)效應(yīng)管需要的驅(qū)動(dòng)電流比BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)
2020-07-10 14:51:42
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管的驅(qū)動(dòng)電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
在分析的時(shí)候，比如此時(shí)輸入端為高電平，如何確定場(chǎng)效應(yīng)管源極（S極）的電平，從而無(wú)法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬?yōu)點(diǎn)是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
MOSFET 漏極出現(xiàn)浪涌并因寄生效應(yīng)意外打開時(shí)。這種導(dǎo)通會(huì)產(chǎn)生從高壓到地的短路，從而損壞電路?！ ∪绾悟?qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管 考慮到卓越的材料性能，這個(gè)問(wèn)題提出了如何控制這些部件才能發(fā)揮最佳作用。從我們所知
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
92%的開關(guān)損耗，還能讓設(shè)備的冷卻機(jī)構(gòu)進(jìn)一步簡(jiǎn)化，設(shè)備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導(dǎo)體LED照明領(lǐng)域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
。超硬度的材料包括:金剛石、立方氮化硼，碳化硼、碳化硅、氮化硅及碳化鈦等。3)高強(qiáng)度。在常溫和高溫下，碳化硅的機(jī)械強(qiáng)度都很高。25℃下，SiC的彈性模量，拉伸強(qiáng)度為1.75公斤/平方厘米，抗壓強(qiáng)度為
2019-07-04 04:20:22
的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用，如汽車制動(dòng)器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備，如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
商用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管從2001年開始商用，至今已有20年商用積累，并在部分高中端電源市場(chǎng)批量應(yīng)用，逐步向通用市場(chǎng)滲透，具備廣闊的市場(chǎng)前景?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅材料在禁帶寬度和臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)等關(guān)鍵特性上具有
2023-02-28 16:55:45
特性比較 1、碳化硅肖特基二極管器件結(jié)構(gòu)和特征 用碳化硅肖特基二極管替換快速PN 結(jié)的快速恢復(fù)二極管（FRD），能夠明顯減少恢復(fù)損耗，有利于開關(guān)電源的高頻化，減小電感、變壓器等被動(dòng)元件的體積，使
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫
2011-06-08 10:43:25
場(chǎng)效應(yīng)管分類場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完整絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為普遍
2018-10-29 22:20:31
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
TGF2023-2-10碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2023-2-10報(bào)價(jià)TGF2023-2-10代理TGF2023-2-10咨詢熱線TGF2023-2-10現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠(chéng)
2018-06-12 10:22:42
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2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報(bào)價(jià)TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報(bào)價(jià)TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱Vmos管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發(fā)現(xiàn)里面找不著雙柵極場(chǎng)效應(yīng)管3sk系列的怎么辦??？？？
2012-12-05 22:55:00
場(chǎng)效應(yīng)管性能當(dāng)面不是已經(jīng)超過(guò)了三極管了么，三極管會(huì)不會(huì)被淘汰？為什么總是討論三極管問(wèn)題？我是初學(xué)者，剛學(xué)了場(chǎng)效應(yīng)管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
大家好，我是電路小白。理論知識(shí)有點(diǎn)，但是實(shí)踐機(jī)會(huì)甚少。想問(wèn)在維修電路板時(shí)，有個(gè)別不重要的場(chǎng)效應(yīng)管壞了，可否用三極管代替呀？謝謝！
2021-11-27 12:47:16
場(chǎng)效應(yīng)管電路有問(wèn)題嗎？用的是P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管BSS84,電路如下，經(jīng)常GS間損壞，損壞后兩腳間有5K左右的電阻造成微導(dǎo)通D端有電壓輸出。電路有問(wèn)題嗎？是什么原因。
2019-10-18 22:00:33
`請(qǐng)問(wèn)場(chǎng)效應(yīng)管是不是電壓控制器件？`
2019-08-22 15:57:24
二極管三極管與晶閘管場(chǎng)效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
場(chǎng)效應(yīng)管的作用：放大、調(diào)制、諧振和作開關(guān)用，場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型器件。場(chǎng)效應(yīng)管的好壞判斷：把數(shù)字萬(wàn)用表打到二極管檔，用萬(wàn)用表任意觸碰場(chǎng)效應(yīng)管的三只引腳，好的場(chǎng)效應(yīng)管最終結(jié)果只有一次有讀數(shù)，并且在
2012-05-04 09:51:12
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓?fù)湎嘟Y(jié)合，可提供最佳的性價(jià)比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達(dá)50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性價(jià)比的完美方案?！ ≡撈骷鹘y(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
場(chǎng)效應(yīng)管（Si MOSFET）以前從未考慮過(guò)的應(yīng)用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來(lái)越多用于千瓦級(jí)功率水平應(yīng)用，涵蓋如通電源，和服務(wù)器電源，和快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車電池充電器市場(chǎng)等領(lǐng)域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
由于柵極電壓被穩(wěn)壓管鉗位，當(dāng)流過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管的電流有增大的趨勢(shì)時(shí)，負(fù)反饋電阻上的電壓增加，使場(chǎng)效應(yīng)管截止趨勢(shì)增加，電流下降，反之亦然，使負(fù)載電阻電流保持恒定轉(zhuǎn)載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:37:37
以及低體二極管反向恢復(fù)的優(yōu)勢(shì)能簡(jiǎn)化拓?fù)湓O(shè)計(jì)，提高了隔離DC/DC變換器的功率密度（圖4）。方案每個(gè)開關(guān)采用兩顆1000V、65毫歐碳化硅MOSFET(C3M0065100K)并聯(lián)，總共有８顆碳化硅在
2016-08-05 14:32:43
如何快速定性判斷場(chǎng)效應(yīng)管、三極管的好壞？怎么判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極？有什么注意事項(xiàng)？如何判別晶體三極管管腳？
2021-05-10 06:36:25
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
高，可靠性越低。所以提高λ值 、α 值和碳化硅材料(3.7ppm/K)相近的材料是提高封裝可靠性和關(guān)鍵所在。如表2 所示，Al2O3 具有成本低，機(jī)械強(qiáng)度高等優(yōu)點(diǎn)，是目前最常用的絕緣材料，但λ 值低，α值
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
發(fā)展筑牢了根基。張軍軍對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展充滿信心，對(duì)薩科微的未來(lái)更是充滿信心。目前薩科微的產(chǎn)品市場(chǎng)主要在碳化硅SiC MOS管、高中低壓的場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、TVS二極管與電源管理芯片、霍爾傳感器這一
2023-02-21 09:24:40
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
純直流場(chǎng)效應(yīng)管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場(chǎng)效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
，這一塊也是金航標(biāo)產(chǎn)品的研發(fā)方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導(dǎo)體研發(fā)的igbt、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管、ldo電源管理芯片，也廣泛應(yīng)用于逆變器、電池管理等場(chǎng)合，和金航標(biāo)的信號(hào)連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
請(qǐng)問(wèn)可以代替4506geh 場(chǎng)效應(yīng)管 的元件？謝謝！
2013-01-06 13:36:05
如圖：這個(gè)N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，這樣接行不行？
2023-11-26 22:22:46
通時(shí)間。對(duì)于 ≥150kW 牽引逆變器應(yīng)用，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)具有 >10 A 的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，以便以高壓擺率將 SiC FET 切換通過(guò)米勒平臺(tái)，并利用更高的開關(guān)頻率。碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有
2022-11-02 12:02:05
用機(jī)械萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管
1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 (1)從包裝上區(qū)分
2009-11-09 14:51:19
1238 VMOS場(chǎng)效應(yīng)管,VMOS場(chǎng)效應(yīng)管是什么意思
VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031344 碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管SL19N120A
2022-06-29 14:30:10
0 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182 本文作者：安森美電源方案事業(yè)群工業(yè)方案部高級(jí)總監(jiān) Sravan Vanaparthy 如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車 (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛
2023-09-22 19:10:01516 
碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來(lái)給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05812 
2586場(chǎng)效應(yīng)管能不能使用3205場(chǎng)效應(yīng)管代替？ 場(chǎng)效應(yīng)管(也稱為晶體管)作為一種重要的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中，包括放大器、開關(guān)和數(shù)字邏輯電路等。然而，在一些場(chǎng)合下，我們可能需要找到一個(gè)能夠
2024-01-15 15:49:57317 Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品，這款產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車（EV）而設(shè)計(jì)，符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。
2024-02-01 10:22:29168
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