一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Qorvo發(fā)布碳化硅場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-01 10:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動汽車(EV)而設(shè)計(jì),符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

這款產(chǎn)品采用了緊湊的D2PAK-7L封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS(on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品,其最高可達(dá)60mΩ的導(dǎo)通電阻值,非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)(PTC)加熱器模塊等電動汽車類應(yīng)用。

全新的750V系列產(chǎn)品是對Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補(bǔ)充,打造了完整的產(chǎn)品組合,可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動汽車的應(yīng)用需求。

隨著電動汽車市場的不斷擴(kuò)大和技術(shù)的不斷進(jìn)步,對于高效、可靠的電力電子解決方案的需求日益增長。Qorvo的這款SiC FET產(chǎn)品憑借其卓越的性能和緊湊的封裝,為電動汽車設(shè)計(jì)提供了新的可能性和更高的性能。

Qorvo一直致力于創(chuàng)新和突破,以滿足市場對高效、可靠和緊湊的電子解決方案的需求。這次推出的SiC FET產(chǎn)品再次證明了Qorvo在技術(shù)上的領(lǐng)先地位和對電動汽車市場的深度理解。

未來,隨著電動汽車市場的持續(xù)發(fā)展,我們期待Qorvo能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品,為電動汽車的設(shè)計(jì)和性能提升提供更多可能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場效應(yīng)晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    395

    瀏覽量

    20032
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3066

    瀏覽量

    50465
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    695

    瀏覽量

    78679
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?3226次閱讀
    安森美收購<b class='flag-5'>Qorvo</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>業(yè)務(wù),<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?238次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個 PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?390次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>詳解

    TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-17 17:15 ?0次下載

    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 15:23 ?0次下載
    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的高級SPICE模型

    互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?3184次閱讀
    互補(bǔ)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用

    一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

    朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:42 ?731次閱讀
    一文解析現(xiàn)代<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>(FET)的發(fā)明先驅(qū)

    安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 16:30 ?663次閱讀

    安森美宣布將收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)

    安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。這一舉措將補(bǔ)足安森美廣泛
    的頭像 發(fā)表于 12-13 18:10 ?874次閱讀

    結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

    結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-Effect Transistor,簡稱N溝道
    的頭像 發(fā)表于 10-07 17:28 ?1129次閱讀

    如何選擇場效應(yīng)晶體管

    在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南,包括關(guān)鍵步驟、考慮因素以及具體的應(yīng)用建議。
    的頭像 發(fā)表于 09-23 18:18 ?1176次閱讀

    鐵電場效應(yīng)晶體管的工作原理

    鐵電場效應(yīng)晶體管是一種基于鐵電材料的新型晶體管技術(shù),其工作原理涉及到鐵電材料的極化反轉(zhuǎn)特性及其對半導(dǎo)體通道電流的調(diào)控。
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:14 ?3112次閱讀

    什么是結(jié)型場效應(yīng)晶體管

    結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其特點(diǎn)在于通過改變外加電場來調(diào)制半導(dǎo)體溝道中的電流,從而實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:41 ?1879次閱讀

    場效應(yīng)晶體管和雙極性晶體管有什么區(qū)別

    場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT,也稱雙極性結(jié)型晶體管)是兩種常見的半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-13 17:42 ?3576次閱讀

    場效應(yīng)晶體管利用什么原理控制

    場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。它具有高輸入阻抗、低噪聲、快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),在電子技術(shù)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。 一
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:13 ?1803次閱讀