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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性:LLC轉(zhuǎn)換器的工作特點(diǎn)
在下面的表格中,匯總了當(dāng)著眼于上一篇文章中給出的基本電路的一次側(cè)MOSFET時(shí),LLC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)缺點(diǎn)。LLC轉(zhuǎn)換器通過部分諧振方式實(shí)現(xiàn)ZVS工作,部分諧...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 1472 0
內(nèi)置功率MOSFET的高性能BM2Pxxx系列AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,并滿足近年來對(duì)AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項(xiàng)的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1619 0
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí),自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離...
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:效率的評(píng)估
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升,針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率,本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言,本文對(duì)Q1~Q4的MOSFET使...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET全橋電路功率轉(zhuǎn)換效率 1800 0
內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC BD9G341AEFJ介紹
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1061 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
因此,在PSFB電路中,需要使用trr小的MOSFET。簡(jiǎn)言之,trr越小越有效。市場(chǎng)上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET,但制造商和產(chǎn)品系列不...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 998 0
相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升:PSFB電路的基本結(jié)構(gòu)
作為Si功率元器件評(píng)估篇的第2波,將開始一系列有關(guān)Si功率元器件通過PSFB電路進(jìn)行“相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升”的文章。這類大功率電源中大多采用全...
通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性ー總結(jié)ー
在“通過雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中,重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正(PFC)電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1196 0
開關(guān)電源中,Pulse skip mode跳脈沖模式、Burst mode突發(fā)模式和Hiccup mode打嗝模式,這3種模式分別針對(duì)不同的工作條件
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源Buck變換器 2.4萬 2
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元...
碳化硅MOSFET對(duì)比硅IGBT的優(yōu)勢(shì)
開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn),配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT開關(guān)器件 2779 0
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān)
同步整流芯片U7710 &U7711就是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測(cè)試?
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件,為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流,具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管功率器件 1173 0
n溝道場(chǎng)效應(yīng)管和p溝道場(chǎng)效應(yīng)管能互換嗎
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差,但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會(huì)引入額外可移動(dòng)的負(fù)電荷(電子),此時(shí)為N型(N溝道)參雜,在N型...
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