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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...
2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 1226 0
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密...
Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線,減小了源極引腳長(zhǎng)度,從而最大程度地減少在開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的寄生源極電感,以此提高效率。 無(wú)引腳(QFN)封...
當(dāng)下公認(rèn)的MOSFET品質(zhì)因數(shù)還有意義嗎
從導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能的角度來(lái)看,我們都習(xí)慣于將MOSFET的品質(zhì)因數(shù)(FOM)視作漏極至源極通態(tài)電阻RDS(on)和柵極電荷Qg的乘積。
對(duì)于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用中,尤其是可穿戴設(shè)備來(lái)說(shuō),準(zhǔn)則是更精簡(jiǎn)、更高效。通過(guò)使用高效的開(kāi)關(guān)選項(xiàng),設(shè)計(jì)者可以擁有更多空間來(lái)嵌入功能,同時(shí)最大限度降低電池消...
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通電阻小,寄生參...
此外,襯底偏壓也能影響閾值電壓。當(dāng)在襯底和源極之間施加反向偏壓時(shí),耗盡區(qū)被加寬,實(shí)現(xiàn)反轉(zhuǎn)所需的閾值電壓也必須增加,以適應(yīng)更大的Qsc。
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過(guò)向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場(chǎng)約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
簡(jiǎn)述電子模擬開(kāi)關(guān)的模擬特性和開(kāi)關(guān)特性
導(dǎo)通電阻(Ron)隨輸入信號(hào)(Vin)變化而變化 模擬開(kāi)關(guān)的常開(kāi)常閉通道實(shí)際上是由兩個(gè)對(duì)偶的N溝道MOSFET與P溝道MOSFET構(gòu)成,可使信號(hào)雙向傳輸...
BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
“BD9S系列”是小型高效的單通道同步整流降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器,具有Power Good功能和可調(diào)軟啟動(dòng)功能,作為車載產(chǎn)品,已通過(guò)AEC-Q100 G...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET焊接 971 0
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開(kāi)關(guān)特性 4068 0
BD9S系列: 配置Power Good功能的車載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器(2)
ROHM最近面向ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車安全駕駛輔助模塊,開(kāi)發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 837 0
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開(kāi)關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說(shuō)明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)...
高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
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