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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗...
在功率器件半導體領域,越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時間發(fā)展,硅材料在功率器件領域已經達到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開始大放異彩
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的...
兩個比較器輸入采用一個外部阻性分壓器提供了過壓 (OV) 和欠壓 (UV) 設定點的配置。
開關直流電源如何同步整流?開關電源同步整流控制的優(yōu)勢分析
開關直流電源使用范圍更加廣泛,降低低壓大電流的功耗已經成為電力工程師的難題。 開關電源損耗主要由斷路器管損耗、高頻變壓器損耗、插座集電器損耗等組成。同步...
當VGS>VTH時,MOSFET表現(xiàn)為一個壓控電阻;但是,能讓MOSFET成為現(xiàn)在集成電路中的翹楚,肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。
該輸入電容器的電流所產生的電壓(波形)因電容器的“靜電電容”之外存在的寄生成分“ESR(等效串聯(lián)電阻)”及“ESL(等效串聯(lián)電感)”的差異而不同。
上述這三種情況中,如果元件完全破壞,必能在生產及品質測試中被察覺而排除,影響較少。如果元件輕微受損,在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn),在這種情形下,常會因經過多次...
近年來,半導體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
圖一為N溝通增強型VDMOSFET斷面示意圖及等效電路圖,在電路圖中一般使用圖二所示的兩種圖形符號。圖形符號中的箭頭方向與反并聯(lián)寄生二極管的方向是一致的...
本文基于仿真和實驗方法,開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設計研究工作。通過溝槽深度,體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏,獲得了對擊穿電壓,閾值電壓...
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術,補全了 CoolMOS? 7 系列。
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當MOS用來做放大電路時,就是工...
表面貼裝功率器件(SMPD) 封裝提供了功率能力、功耗以及易于布局和組裝的最佳組合,可幫助設計人員在不顯著增加所構建系統(tǒng)的尺寸和重量的情況下增加輸出功率。
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