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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于NP60P012D3的12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP60P012D3采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕 提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù) 電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。 一般特征 VDS = -12v, i...
具備驅(qū)動器源極引腳,可以消除VLSOURCE對VGS_INT的影響。
調(diào)節(jié)直流電機(jī)的PWM驅(qū)動控制電路設(shè)計
20KHz,30%占空比的脈沖驅(qū)動車燈,在這個頻率下,車燈的感抗體現(xiàn)出來,造成了電流信號邊沿的巨大尖峰過沖。
DC-DC大電流高效降壓電流模式單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器WD5065B概述
WD5065B是電流模式單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,在4.7V-65V的寬輸入范圍內(nèi)工作,通過集成的高端N溝道MOSFET提供高達(dá)5A的連續(xù)輸出電流。在輕負(fù)載的...
2022-06-24 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC 3958 0
功率MOSFET在開關(guān)過程中,在米勒平臺線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動,其它的時間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動。VGS電壓變化時,和時...
設(shè)計驅(qū)動電路該使用MOS管還是三極管?(文末領(lǐng)BJT和MOSFET對比資料)
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管,通常稱為 BJT...
半橋驅(qū)動電路工作原理 自舉電容的計算及注意事項(xiàng)
MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計一個適合應(yīng)用的...
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFET富昌電子驅(qū)動設(shè)計 6777 0
在驅(qū)動電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號主動驅(qū)動 IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動 DC/DC 上電或斷電時,即使 PWM 信號處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1901 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個主要缺點(diǎn)是其開關(guān)頻率相對較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.3萬 0
在上一篇文章中,我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響,從而可降低開...
這是一款高保真、高品質(zhì)的25WHiFi音頻放大器電路,可提供出色的音頻性能。此設(shè)計不需要前置放大器電路,因?yàn)樗梢灾苯舆B接到計算機(jī)、電話、收音機(jī)、電視等...
具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相...
有了這么多的強(qiáng)力工具選項(xiàng),設(shè)計兼容性可能是一個斗爭。了解更多關(guān)于利用金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的挑戰(zhàn)
使用安森美新型SiC模塊構(gòu)建25kW快速電動汽車充電樁
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
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