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基于NP60P012D3的12V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-02 11:13 ? 次閱讀
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描述

NP60P012D3采用了先進的戰(zhàn)壕提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù)電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。

一般特征

  • VDS = -12v, id = -60a

RDS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 6.3Ω@VGS = -2.5 v

  • 高密度電池設(shè)計超低Rdson
  • 充分描述雪崩電壓和電流
  • 穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高
  • 優(yōu)秀的包裝,良好的散熱
  • ESD能力的特殊工藝技術(shù)
  • 100% ui測試
  • 應(yīng)用程序
  • 汽車應(yīng)用程序
  • 硬開關(guān)和高頻電路
  • 不間斷電源
  • PDFN3.3 8 * 3.3 l
poYBAGK-xtuAY_RxAABs_PGaFXw357.pngpoYBAGK-xwKAdh1CAAEb-1W0a7o373.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGK-xxiAeQetAAJqTwIM5DU868.png

注:1:東亞峰會測試:VDD = 8 v, RG = 25歐姆,L = 500哦

2:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。

3:設(shè)計保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗。

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