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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗解決方案解析
碳化硅(SiC)MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度,高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
如何驅(qū)動(dòng) MOSFET?MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電路原理解析
MOSFET 功率開(kāi)關(guān)是開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC 里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱...
電池測(cè)試設(shè)備實(shí)現(xiàn)電池化成分容技術(shù)要點(diǎn)
電池測(cè)試單元的功率部分主要包括模擬控制器,半橋驅(qū)動(dòng),MOSFET,輸入輸出保護(hù)器。
探討在DC/DC變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方案
第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中,補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用,從而拉長(zhǎng)了變換器對(duì)輸出電壓變化的響應(yīng)時(shí)間。
2021-01-27 標(biāo)簽:MOSFET低通濾波器DC-DC轉(zhuǎn)換器 4140 0
產(chǎn)生超結(jié)MOSFET的高電壓器件開(kāi)發(fā)技術(shù)——電荷平衡技術(shù)
作者:Sanjay Havanur,Vishay Siliconix公司 自從30多年前首次推出以來(lái),MOSFET已經(jīng)成為高頻開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)...
2021-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電荷平衡 6140 0
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動(dòng)分類(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動(dòng)配對(duì)供電,可簡(jiǎn)化線路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 2304 0
如何將其4個(gè)MOSFET的內(nèi)置二極管為電池充電
負(fù)載通常表現(xiàn)為變壓器形式,其低壓初級(jí)線圈與MOSFET橋連接以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的DC到AC反相。
SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)及生成步驟解析
SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)基于Dialog半導(dǎo)體公司的SLG46826V,它是一種可配置的混合信號(hào)IC(CMIC),其中包含F(xiàn)SM數(shù)字計(jì)數(shù)器、高速模擬比較器和...
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對(duì)于可再生能源設(shè)備,如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
MOSFET寄生電容參數(shù)如何影響開(kāi)關(guān)速度
我們應(yīng)該都清楚,MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層,因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD,溝道未形成時(shí),漏源之間也有一個(gè)寄生電容C...
節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GWL
BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不...
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器可穿戴式設(shè)備 4851 0
ROHM開(kāi)發(fā)出第4代SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻
ROHM于2015年世界上第一家成功地實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的量產(chǎn),并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFET逆變器低導(dǎo)通電阻 2277 0
多種MOSFET雙脈沖測(cè)試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果,來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 9793 0
MOSFET陣列并聯(lián)放置多個(gè)功率MOSFET以減輕系統(tǒng)負(fù)擔(dān)
在強(qiáng)悍的動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)者應(yīng)該知道所有關(guān)于MOSFET和他們的特殊電氣特點(diǎn),但與MOSFET的陣列工作還可以另有一個(gè)獸。您可能會(huì)在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中看到的一種布...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器DC-DC轉(zhuǎn)換器 7390 0
開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里MOSFET驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)
MOSFET 功率開(kāi)關(guān)是開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器里最重要的元件,如果它被集成進(jìn) IC里,這種器件便可以被稱作轉(zhuǎn)換器;如果它被外置,能夠驅(qū)動(dòng)它的器件便可以被稱作...
2020-12-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源轉(zhuǎn)換器 3111 0
ROHM 有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC解決方案
ROHM擁有超過(guò)220款機(jī)型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC,而且擁有豐碩的市場(chǎng)業(yè)績(jī)。涵蓋的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC包括有刷直流電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、單相無(wú)刷直流電機(jī)、三相無(wú)刷直流電機(jī)...
2020-12-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 5319 0
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