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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復損耗,還具有多種其他優(yōu)...
汽車控制單元模塊主要集中在比如電機控制、EPS、新能源車的輕混水泵、油泵等上面。富士通的代理品牌 SHINDENGEN(新電元)目前在市場主推的除了小功...
從2000年開始進入開關電源產品行業(yè),一直從事開關電源產品的設計和開發(fā),對開關電源產品的設計,產品制造工藝以及應用都有豐富的經(jīng)驗。
對于緊湊型且性能強大的電動機的強烈需求給設計工程師帶來了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動機的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。
美國佛羅里達大學、美國海軍研究實驗室和韓國大學的研究人員在AIP出版的《應用物理學》上發(fā)表了研究有關,展現(xiàn)最具前景的超寬帶化合物——氧化鎵(Ga2O3)...
淺析MOSFET電容在LLC串聯(lián)諧振電路中的應用
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。
如何通過調整門極驅動負壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
隨著制造技術的發(fā)展和進步,系統(tǒng)設計人員必須跟上技術的發(fā)展步伐,才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
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