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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
高壓電源新型預(yù)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)方案推薦
討論幾種設(shè)計(jì)故障容受型電源的方法,其中包括新的預(yù)穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可簡化電路設(shè)計(jì)及元件選擇。 對抗相位故障 如果交流電源到電表之間出現(xiàn)錯(cuò)誤連接故障,...
MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的...
采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路
結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計(jì),可在1.5V...
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
幾類器件慎重采用串并聯(lián)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。繼電器不允許并聯(lián)一起以提供較大電流、兩只電容或兩只開關(guān)類管子(IGBT、三極管、MOSFET等)不用于串聯(lián)結(jié)構(gòu)以解決單只...
MOSFET柵極應(yīng)用電路作用與驅(qū)動電路解析
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn),因...
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。 然而在電力電...
電源設(shè)計(jì)如何減少M(fèi)OS管的損耗同時(shí)提升EMI性能
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;...
2017-12-24 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源emi 2.0萬 0
下面是對場效應(yīng)管的測量方法場效應(yīng)管英文縮寫為FET??煞譃榻Y(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。而MOS管...
2017-12-21 標(biāo)簽:mosfet場效應(yīng)管jfet 1.3萬 0
深度解析MOSFET結(jié)構(gòu)原理和特點(diǎn)以及其驅(qū)動電路
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transisto...
IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過相對于MOSFET的工作頻...
基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
由于儀器所用電源的體積和重量通常受到限制,為此提出一種由MOSFET控制,并且由高頻變壓器隔離的開關(guān)電源設(shè)計(jì)方法。該電源具有體積小、重量輕、抗干擾性能強(qiáng)...
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
資深工程師分享的一款醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗(yàn)通過光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
巧用Rigol_dl3021可編程電子負(fù)載設(shè)備拆解fpga控制器
想必大家對EEVBlog已經(jīng)不陌生了,有著豐富電子開發(fā)經(jīng)驗(yàn)的工程師Dave Jones在該網(wǎng)站上發(fā)布各種電子設(shè)備的拆解視頻,并對設(shè)計(jì)的一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)給出...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2017-11-02 標(biāo)簽:mosfet 5.0萬 0
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