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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半橋驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27311A 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用半橋或同步降壓配置的兩個(gè) N 溝道 MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3....
UCC27311A-Q1 具有 8V UVLO 和 enable 的汽車級(jí) 120V 4A 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27311A-Q1 是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)半橋或同步降壓配置中的兩個(gè) N 溝道 MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 ...
UCC5350L-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車類 ±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC5350L-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 10A 拉電流和 10A 灌電流典型峰值電流,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 Si...
向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新,在區(qū)域控制器中集成受保護(hù)的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。電子保險(xiǎn)絲和 SmartFET 可為負(fù)載、傳感器和執(zhí)行器...
2025-05-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET控制器 1134 0
LM9061系列 7V 至 26V 高壓側(cè)保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM9061 系列由電荷泵器件組成,可提供 柵極驅(qū)動(dòng)到配置為高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或開(kāi)關(guān)的任意尺寸的外部功率 MOSFET。這 包括多個(gè)并聯(lián)連接的 MOSFET,適...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器控制器 291 0
TPS2301 3V 至 13V 雙通道熱插拔,具有獨(dú)立通道電路中斷和電源正常功能數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2300 和 TPS2301 是使用外部 N 通道的雙通道熱插拔控制器 MOSFET 用作電源應(yīng)用中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些器件的特性,例如過(guò)電流 保護(hù) ...
TPS2331 具有高電平有效使能功能的 3V 至 13V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2330 和 TPS2331 是使用外部 N 溝道 MOSFET 用作電源應(yīng)用中的高側(cè)開(kāi)關(guān)。這些設(shè)備的功能,例如 過(guò)流保護(hù) (OCP)、浪涌電流控...
TPS2330 具有低電平有效使能功能的 3V 至 13V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2330/31 器件具有欠壓鎖定 (UVLO) 和電源正常 (PG) 功能 報(bào)告以確保設(shè)備在啟動(dòng)時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)并確認(rèn)輸出電壓的狀態(tài) 運(yùn)行期間的導(dǎo)軌...
TPS2491 具有功率限制和自動(dòng)重試功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS249x 是易于使用的正高電壓 10 引腳熱插拔電源管理器器件,可安全地驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)。功率限制和電流限制(兩者都是可調(diào)的...
TPS2490 具有功率限制和閉鎖功能的 9V 至 80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS249x 是易于使用的正高電壓 10 引腳熱插拔電源管理器器件,可安全地驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道 MOSFET 開(kāi)關(guān)。功率限制和電流限制(兩者都是可調(diào)的...
TPS2400 具有 100V 輸入瞬態(tài)保護(hù)的 5.5V 過(guò)壓保護(hù)控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2400 過(guò)壓保護(hù)控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用 將敏感電子元件與破壞性的電壓尖峰和浪涌隔離開(kāi)來(lái)。它具體 旨在防止與汽車環(huán)境相關(guān)的...
CCM 和DCM 的判斷,不是按照初級(jí)電流是否連續(xù)來(lái)判斷的。而是根據(jù)初、次級(jí)的電流合成來(lái)判斷的。只要初、次級(jí)電流不同是為零,就是CCM 模式。而如果存在...
2025-05-14 標(biāo)簽:變壓器MOSFET開(kāi)關(guān)電源 4414 0
TPS2410 0.8V 至 16.5V 1.2A IQ 290uA Igate 源 N+1 和 OR-ing 電源軌控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS241x 控制器與外部 N 溝道 MOSFET 配合使用,可仿真低正向電壓二極管的功能。該器件可用于將多個(gè)電源組合到 N+1 配置的公共總線上,或...
LM5067系列 具有功率限制的 -9V 至 -80V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5067 負(fù)熱插拔控制器可在從帶電系統(tǒng)背板或其他“熱”電源插入和拔出電路卡期間對(duì)電源連接進(jìn)行智能控制。LM5067 提供浪涌電流控制,以限制系統(tǒng)電壓...
TPS22901 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 漏電流負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 都是小的、低導(dǎo)通電阻 (r ~上~ ) 負(fù)載開(kāi)關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 溝道 MOSFET,...
TPS22960 具有輸出放電功能的 2 通道、5.5V、0.5A、435mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22960 是一款具有受控導(dǎo)通功能的小型低 rON 雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。這些器件包含兩個(gè) P 溝道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的輸...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET電阻器負(fù)載開(kāi)關(guān) 194 0
TPS2590 3V 至 20V、30mΩ、2-5A 電子保險(xiǎn)絲數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS2590 器件提供高度集成的熱插拔電源管理和卓越的 在負(fù)載由高達(dá) 20 V 的總線供電的應(yīng)用中提供保護(hù)。最大 UV 開(kāi)啟 2.9 V 的閾值使 T...
TPS22946 具有可選電流限制的 5.5V、0.15A、400mΩ 負(fù)載開(kāi)關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS22946 是一款超低功耗負(fù)載開(kāi)關(guān),可為系統(tǒng)和 大電流條件下的負(fù)載。該器件包含一個(gè) 300mΩ 限流 P 溝道 MOSFET 可在 1.62 V ...
2025-05-14 標(biāo)簽:電流MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān) 236 0
功率器件開(kāi)關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開(kāi)關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源示波器 329 0
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