LM9061 系列由電荷泵器件組成，可提供 柵極驅(qū)動(dòng)到配置為高側(cè)驅(qū)動(dòng)器或開關(guān)的任意尺寸的外部功率 MOSFET。這 包括多個(gè)并聯(lián)連接的 MOSFET，適用于極高電流應(yīng)用。一個(gè) CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 輸入控制輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓。在 ON 狀態(tài)下， 電荷泵電壓，遠(yuǎn)高于可用的 V抄送supply，是 直接應(yīng)用于 MOSFET 的柵極。內(nèi)置 15V 齊納二極管可箝位到源極的最大柵極 MOSFET 的電壓。當(dāng)命令關(guān)閉時(shí)，110μA 電流吸收器將 MOSFET 具有逐漸關(guān)斷特性，以最大限度地減少感性負(fù)載的持續(xù)時(shí)間 瞬態(tài)電壓，并進(jìn)一步保護(hù)功率 MOSFET。
*附件：lm9061.pdf

功率 MOSFET 的無損保護(hù)是 LM9061 的一個(gè)關(guān)鍵特性。電壓降 （V DS 系列 ） 在整個(gè)功率器件中受到持續(xù)監(jiān)控并與 外部可編程閾值電壓。一個(gè)小型電流感應(yīng)電阻器，與 負(fù)載會(huì)導(dǎo)致可用能量損失，因此保護(hù)電路不需要。如果 VDS 系列電壓，由于負(fù)載電流過大，超過閾值電壓， 輸出以更漸進(jìn)的方式（通過 10 μA 輸出電流吸收）鎖定 可編程延遲時(shí)間間隔。

特性

• 適用于汽車應(yīng)用
• 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)果如下：
  • 器件 HBM ESD 分類 2 級(jí)
  • 器件 CDM ESD 分類等級(jí) C4B
• 可承受 60V 電源瞬變
• 帶 V 的過壓關(guān)斷 抄送 > 30 V
• 無損過流保護(hù)閉鎖
  • 不需要電流檢測電阻器
  • 在高電流負(fù)載下將功率損耗降至最低
• 保護(hù)閉鎖的可編程延遲
• 逐漸關(guān)斷以較大限度地降低電感負(fù)載瞬態(tài)電壓
• CMOS 邏輯兼容的 ON 和 OFF 控制輸入

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

LM1是一款高側(cè)保護(hù)控制器，適用于汽車應(yīng)用，并通過AEC-Q認(rèn)證。它能夠?yàn)橥獠抗β蔒OSFET提供門極驅(qū)動(dòng)，并具備過壓、過流保護(hù)功能。

二、主要特性

• ?汽車級(jí)應(yīng)用?：符合AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)，適用于汽車控制單元、繼電器驅(qū)動(dòng)等場景。
• ?無損過流保護(hù)?：通過監(jiān)測MOSFET的漏源電壓（VDS）實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)，無需電流感應(yīng)電阻，減少功率損失。
• ?可編程延遲關(guān)斷?：提供可編程的延遲時(shí)間，允許在過流情況下短暫維持輸出，適應(yīng)啟動(dòng)電流較大的負(fù)載。
• ?逐漸關(guān)斷?：關(guān)斷時(shí)通過逐漸減小門極電流，減少感性負(fù)載的瞬態(tài)電壓，保護(hù)MOSFET。
• ?過壓保護(hù)?：當(dāng)供電電壓VCC超過0V時(shí)，自動(dòng)關(guān)斷輸出。
• ?CMOS邏輯兼容?：通過CMOS電平信號(hào)控制開關(guān)狀態(tài)。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• ? 傳輸控制單元（TCU） ?
• ? 發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU） ?
• ?閥門、繼電器和電磁閥驅(qū)動(dòng)?
• ?燈驅(qū)動(dòng)?
• ?DC電機(jī)PWM驅(qū)動(dòng)?
• ?邏輯控制的電源分配開關(guān)?
• ?電子斷路器?
• ?高功率音頻揚(yáng)聲器?

四、電氣特性

• ?供電電壓?：7V至6V（標(biāo)稱），最高可承受0V瞬態(tài)電壓。
• ?門極驅(qū)動(dòng)電壓?：最高可達(dá)VCC+V，內(nèi)置5V齊納二極管保護(hù)。
• ?靜態(tài)電流?：5mA（典型值），在關(guān)閉狀態(tài)下較低。
• ?過流保護(hù)閾值?：通過外部電阻設(shè)置，監(jiān)測VDS電壓實(shí)現(xiàn)保護(hù)。

五、功能描述

• ?MOSFET門極驅(qū)動(dòng)?：內(nèi)置電荷泵電路，提供高于VCC的門極驅(qū)動(dòng)電壓。
• ?無損過流保護(hù)?：監(jiān)測MOSFET的VDS電壓，當(dāng)超過設(shè)定閾值時(shí)，經(jīng)過延遲后逐漸關(guān)斷輸出。
• ?可編程延遲?：通過外部電容設(shè)置關(guān)斷前的延遲時(shí)間。
• ?過壓保護(hù)?：當(dāng)VCC電壓超過0V時(shí)，自動(dòng)關(guān)斷MOSFET以保護(hù)負(fù)載。
• ?逐漸關(guān)斷?：關(guān)斷時(shí)通過μA電流逐漸放電MOSFET門極電容，減少感性負(fù)載的電壓尖峰。

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用電路?：包括驅(qū)動(dòng)單個(gè)或多個(gè)并聯(lián)MOSFET的電路，適用于高電流應(yīng)用。
• ?設(shè)計(jì)指南?：提供了關(guān)于如何選擇外部電阻、電容以及布局布線的建議。
• ?熱管理?：在高電流應(yīng)用中，需要注意MOSFET的散熱設(shè)計(jì)，以防止過熱損壞。

七、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：SOIC-封裝。
• ?封裝尺寸?：具體尺寸請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)中的封裝圖紙。