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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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高壓電源新型預(yù)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)方案推薦
討論幾種設(shè)計(jì)故障容受型電源的方法,其中包括新的預(yù)穩(wěn)壓器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)可簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)及元件選擇。 對(duì)抗相位故障 如果交流電源到電表之間出現(xiàn)錯(cuò)誤連接故障,...
如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開(kāi)關(guān)?
基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開(kāi)關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流,由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET連接器負(fù)載開(kāi)關(guān) 8036 0
寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):緩慢的開(kāi)關(guān)沿可減少過(guò)沖和EMI
在寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的新時(shí)代,器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是,這兩者都不是理想的開(kāi)關(guān)...
目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線,一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導(dǎo)通型器件的技術(shù)路線,另一是在Si襯底上制作平面...
前面已經(jīng)寫了兩篇介紹放大器應(yīng)用和MOSFET作驅(qū)動(dòng)的文章。但是對(duì)它們的工作原理并沒(méi)有進(jìn)一步研究一下,今天寫下這篇文章,主要是介紹二極管的工作原理,為后面...
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。為達(dá)到 這個(gè)目標(biāo),需要提高開(kāi)關(guān)頻率,從而降低功率損耗、系 統(tǒng)整體尺寸以及重量。
MOSFET的動(dòng)態(tài)性能相關(guān)參數(shù)
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇,主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開(kāi)關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表...
高壓功率MOSFET外延層對(duì)導(dǎo)通電阻的作用
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,...
UCC21520是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可以提供4A sink電流,6A source電流,可以支持很高的開(kāi)關(guān)頻率并有較高的隔離強(qiáng)度,常被用來(lái)驅(qū)動(dòng)...
2023-04-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 7912 0
MOS管體二極管(也稱為寄生二極管、內(nèi)置二極管或反并二極管)是指在金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)中存在的一種寄生元件。這種二極管并不是...
用光敏電阻及P-MOSFET設(shè)計(jì)的光控開(kāi)關(guān)電路
用光敏電阻制作一個(gè)小裝置,該裝置在強(qiáng)光下無(wú)電流輸出,在弱光下有電流輸出。其實(shí)就是一個(gè)簡(jiǎn)單的光控開(kāi)關(guān)電路,結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單,操作很方便。 以下是一款...
2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET光控開(kāi)關(guān)光敏電阻 7884 1
前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的自舉電容
一個(gè)電源正端的一個(gè)電源,那么我們說(shuō)這里應(yīng)該用P管,對(duì)吧?那么如果呢這個(gè)管子放在D端,它的下面直接通D的話,那么這個(gè)時(shí)候我們說(shuō)應(yīng)該用N管。那么這樣子的話,...
2019-04-17 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 7874 0
思睿達(dá)CR6267SK與X1135N有區(qū)別?測(cè)試報(bào)告新鮮出爐
上一篇報(bào)告我們將思睿達(dá)主推的CR6248和XX33AP進(jìn)行了對(duì)比,得出的結(jié)論是思睿達(dá)主推的CR6248會(huì)比XX33AP的效率高,功耗小。本篇文章,我們將...
電源IC用來(lái)降壓及穩(wěn)定控制的各種引腳部件
FB(反饋信號(hào)輸入)引腳通過(guò)光電耦合器來(lái)監(jiān)測(cè)二次側(cè)輸出電壓,從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定控制。ZT(過(guò)零電流檢測(cè))引腳通過(guò)VCC繞組檢測(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)線圈中積蓄的電力被供應(yīng)...
我們?cè)O(shè)計(jì)的這個(gè)Buck方案中對(duì)事件的最小開(kāi)關(guān)時(shí)間是有要求的,這是第一點(diǎn),第二點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點(diǎn),但是電感要大,開(kāi)關(guān)頻率低了...
MOS管開(kāi)關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開(kāi)關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器的區(qū)別
在大多數(shù)電子項(xiàng)目或機(jī)器人應(yīng)用中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電機(jī)控制器起著非常重要的作用。
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)IGBT 7816 0
使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路
在本教程中,我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路,并連接一個(gè)4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。
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