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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

電路板維修:開關(guān)電源易損3個(gè)元件(MOSFET管、檢流電阻、驅(qū)動(dòng)電阻)

現(xiàn)在功率MOS管廣泛地應(yīng)用在各種開關(guān)電源中及其他電子電路中。MOS最常用的幾種功能是,電子開關(guān)電路,放大電路、穩(wěn)壓恒流電路、還可以當(dāng)作可變電阻,做成電子...

2022-11-22 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電阻 9060 0

555逆變器電路圖講解 使用MOSFET的555逆變器電路設(shè)計(jì)

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您想更多地了解這個(gè)簡(jiǎn)單的逆變器電路嗎?只需幾個(gè)組件即可輸出 50 瓦的總功率。

2023-08-01 標(biāo)簽:電路圖MOSFET逆變器 9051 0

功率MOSFET安全工作區(qū)SOA曲線概念分析

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現(xiàn)代功率MOSFETs的發(fā)展趨勢(shì)是向著更高開關(guān)頻率和更低導(dǎo)通電阻發(fā)展,因此現(xiàn)代的功率MOSFETs相較于10年前的功率MOSFETs

2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET電池充電器SOA 9043 0

BLDC電機(jī)換向的原理  三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析

BLDC電機(jī)換向的原理 三相BLDC電機(jī)設(shè)計(jì)解析

ADA4571 使用各向異性磁阻 (AMR) 技術(shù)。一種典型的實(shí)施方式是在 BLDC 電機(jī)軸的末端安裝一個(gè)徑向磁化圓盤。圓盤的磁場(chǎng)穿過傳感器的平面,并且...

2022-08-25 標(biāo)簽:微控制器MOSFET無傳感器 9043 0

盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。

2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 9038 0

什么是全橋逆變器?全橋逆變器的工作原理

什么是全橋逆變器?全橋逆變器的工作原理

全橋逆變器是一種H橋逆變器拓?fù)?,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。轉(zhuǎn)換所需的元件是單相半橋逆變器所用元件的兩倍。全橋逆變器的電路由4個(gè)二極管和4個(gè)受控開關(guān)組成,...

2024-02-21 標(biāo)簽:二極管電路圖MOSFET 9027 0

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法

一種先進(jìn)的利用電流檢測(cè)端子實(shí)現(xiàn)的全SiC模塊過流和短路保護(hù)方法

采用電流檢測(cè)并用于FMF800DX-24A的先進(jìn)保護(hù)方法是通過參考設(shè)計(jì)RDHP-1417來實(shí)現(xiàn)的(其采用驅(qū)動(dòng)核2SC0435T)[4][5],并包括過壓...

2018-04-10 標(biāo)簽:電流MOSFETSiC 8988 0

電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,

電流驅(qū)動(dòng)電流檢測(cè)電路詳解,如何使用分流電壓作為輸入電壓,

運(yùn)放必須是軌對(duì)軌輸入,或有一個(gè)包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請(qǐng)記住,即使使用零漂移軌對(duì)軌運(yùn)放,在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通...

2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器電壓 8936 0

如何利用MOSFET的三極管和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)以提供脈沖電流

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從波特圖獲取增益和相位裕度。該方法通過在頻率上觀察電路的特性響應(yīng)來通過判斷領(lǐng)域。需要價(jià)格昂貴的網(wǎng)絡(luò)分析儀或頻率響應(yīng)分析儀,將頻率掃至所需范圍的正弦波與輸...

2021-05-07 標(biāo)簽:MOSFET電位器電源轉(zhuǎn)換器 8935 0

MOSFET對(duì)使單刀雙擲開關(guān)變得簡(jiǎn)單

MOSFET對(duì)使單刀雙擲開關(guān)變得簡(jiǎn)單

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電,以...

2023-05-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET單刀雙擲開關(guān) 8916 0

SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求及應(yīng)用

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-20 標(biāo)簽:mosfet太陽能sic 8897 0

緩解開關(guān)電源的低頻和高頻EMI的創(chuàng)新解決方案

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“鑒于 EMI 可能在后期嚴(yán)重阻礙設(shè)計(jì)進(jìn)度,浪費(fèi)大量時(shí)間和資金,因此必須在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)考慮EMI 問題?!钡轮輧x器(TI)白皮書《通過節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)...

2021-04-13 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源emi 8838 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8820 0

詳解MOS管的分類、特性及工作原理

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MOS管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制其電流大小的半...

2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體MOS管 8809 0

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的,目前也有了許多優(yōu)...

2021-02-08 標(biāo)簽:變壓器MOSFETIGBT 8758 0

采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...

2018-09-29 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體sic 8747 0

氮化鎵晶體管有什么樣的應(yīng)用

什么是氮化鎵晶體管?它有什么作用?硅功率MOSFET還沒有跟上電力電子行業(yè)的發(fā)展變化,在這個(gè)行業(yè)中,效率、功率密度和更小的形式等因素是社區(qū)的主要需求。電...

2020-05-24 標(biāo)簽:放大器MOSFET晶體管 8745 0

智能混合信號(hào)無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)

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  評(píng)估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦??焖僦烽_關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)...

2022-05-06 標(biāo)簽:電源MOSFETSiC 8699 0

快速實(shí)現(xiàn)用于工廠自動(dòng)化、5G 和物聯(lián)網(wǎng)的降壓轉(zhuǎn)換器

回顧了異步和同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器之間的性能權(quán)衡,以及它們?nèi)绾芜m應(yīng)特定應(yīng)用的需求。本文介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的集成異步降壓 IC 和同步降壓轉(zhuǎn)換器 ...

2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET物聯(lián)網(wǎng) 8681 0

浩寶推出IGBT功率半導(dǎo)體無空洞、高可靠真空焊接設(shè)備

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隨著全球新能源的發(fā)展,功率半導(dǎo)體行業(yè)正在快速發(fā)展。IGBT功率模塊在封裝焊接時(shí)有著低空洞率、高可靠性、消除氧化、高效生產(chǎn)等需求

2023-09-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBTLED封裝 8675 0

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    海思
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    COMSOL
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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