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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)
IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開(kāi)關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開(kāi)關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transi...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.0萬(wàn) 0
首先,要區(qū)分同步和非同步的概念。通俗一點(diǎn):在應(yīng)用中上管和下管都有場(chǎng)效應(yīng)管的就是同步的。只有一個(gè)上管的開(kāi)關(guān)就是非同步的,因?yàn)樵诜峭诫娫粗?,下管是一個(gè)二極...
由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開(kāi)關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量...
幻象電源通常是一個(gè)在XLR電纜的引腳2和3上運(yùn)行的一個(gè)正電壓(通常是從12V到48V),用于給電容式麥克風(fēng)進(jìn)行供電。使用“幻象”來(lái)描述這一特殊應(yīng)用場(chǎng)景的...
2023-03-17 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.0萬(wàn) 0
辯證分析MOSFET與IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用區(qū)別
這種延遲引起了類飽和 (Quasi-saturation) 效應(yīng),使集電極/發(fā)射極電壓不能立即下降到其VCE(sat)值。這種效應(yīng)也導(dǎo)致了在ZVS情況下...
一文詳解開(kāi)關(guān)電源的同步整流技術(shù)
高速超大規(guī)模集成電路的尺寸的不斷減小,功耗的不斷降低,要求供電電壓也越來(lái)越低,而輸出電流則越來(lái)越大。
2025-03-25 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.0萬(wàn) 0
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置,電流Id基本不隨Uds變化,Id的大小主要決定于電壓Ugs,所以叫做恒流區(qū),也叫飽和區(qū)。當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí),就是工...
自舉電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)方式
電壓自舉,就是利用電路自身產(chǎn)生比輸入電壓更高的電壓。 基于電容儲(chǔ)能的電壓自舉電路通常是利用電容對(duì)電荷的存儲(chǔ)作用來(lái)實(shí)現(xiàn)的轉(zhuǎn)移,從而實(shí)現(xiàn)電壓的提升。 如圖1...
2023-01-10 標(biāo)簽:MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)MOS 1.0萬(wàn) 0
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)(相比第二代)ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中,包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1...
MOSFET知識(shí)點(diǎn)全集,初級(jí)工程師學(xué)習(xí)利器
MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMO...
2017-09-13 標(biāo)簽:mosfet半導(dǎo)體器件 1.0萬(wàn) 0
mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理
? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Ef...
2023-08-16 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.0萬(wàn) 0
N溝道和P溝道MOSFET的開(kāi)關(guān)電路講解
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)...
2023-02-27 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFET晶體管 1.0萬(wàn) 0
芯品# MPQ6653具有集成功率MOSFET和嵌入式霍爾傳感器的單相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
MPQ6653-AEC1 是一款具有集成功率 MOSFET 和嵌入式霍爾傳感器的單相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它具有5.5V 至 35V 的輸...
眾所周知,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件,由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成,用于放大或切換電路內(nèi)的電壓,也廣泛用于數(shù)字...
在汽車環(huán)境中,它們必須能夠以可接受的可靠性水平耗散能量。因此,有了非常好的可靠性級(jí)別,就有必要定義這種強(qiáng)大的功能(多虧了SOA)。
MOS名稱/特點(diǎn)/結(jié)構(gòu)/工作原理
MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體...
小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)MC34063擴(kuò)流降壓電路圖
電路中使用了內(nèi)阻10Ω的小信號(hào)MOSFET橋驅(qū)動(dòng),后級(jí)功率管總能處在較佳工作狀態(tài),只要有適當(dāng)?shù)拇蠊β蔒OSFET和電感,再增大輸出電流是很容易的事。
2020-08-28 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET驅(qū)動(dòng)器 9990 0
繼電器是一種機(jī)電設(shè)備,它使用電磁鐵將一對(duì)可移動(dòng)觸點(diǎn)從打開(kāi)位置操作到關(guān)閉位置。
2023-03-24 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 9968 0
SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過(guò)人之處呢?
圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...
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