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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 9894 0
基于LCC拓?fù)涞陌霕騆CC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源
作者:Akshat JAIN, Fabrizio DI FRANCO 近年來,諧振變換器的熱度越來越高,被廣泛用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費(fèi)電子...
2021-03-10 標(biāo)簽:變壓器MOSFET并聯(lián)電容器 9890 0
雙向開關(guān)的介紹/特性/結(jié)構(gòu)/功能
雙向電源開關(guān) (BPS) 是一種使用 MOSFET 或 IGBT 構(gòu)建的有源器件,在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動(dòng),并在斷電時(shí)阻止雙向電壓流。
米勒效應(yīng)(Miller effect)是在電子學(xué)中,反相放大電路中,輸入與輸出之間的分布電容或寄生電容由于放大器的放大作用,其等效到輸入端的電容值會(huì)擴(kuò)大...
2023-05-15 標(biāo)簽:放大器開關(guān)電路MOSFET 9793 0
該電源開關(guān)是一款低壓、單 N 溝道 MOSFET 高側(cè)電源開關(guān),針對自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2022-04-20 標(biāo)簽:MOSFET電源開關(guān)串行總線 9765 0
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
場效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 9760 0
多種MOSFET雙脈沖測試,探討MOSFET的反向恢復(fù)特性
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果,來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外,相應(yīng)...
2020-12-21 標(biāo)簽:MOSFET 9758 0
高頻開關(guān)電源的特點(diǎn)及系統(tǒng)結(jié)構(gòu)組成
高頻開關(guān)電源(也稱為開關(guān)型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作,開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2019-09-09 標(biāo)簽:蓄電池mosfet高頻開關(guān)電源 9733 0
介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)
柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量,有時(shí)也稱為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量,Qgd ...
分別說說VMOSFET的VVMOS和VDMOS兩種結(jié)構(gòu)
MOS器件雖然漏極電流可以達(dá)到數(shù)安培,漏源電壓可以達(dá)到100V以上,但是由于漏源電阻大、頻率特性差、硅片面積利用率低等缺點(diǎn),使得MOSFET在功率上有很...
很多現(xiàn)代便攜式設(shè)備發(fā)貨時(shí)都必須安裝電池,以便客戶無需電池安裝或充電便可立即開啟設(shè)備。如果連接至電池的組件有過量電流泄漏,那設(shè)備到客戶手中時(shí)可能就沒電了。...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和雙極型晶體管的特性。
戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說,前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師,本文的讀者就...
驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對方法
功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...
2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 9626 0
什么是JFET?什么是MOSFET?JFET和MOSFET的比較
JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管,MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管(FET),...
mos場效應(yīng)管一共幾種類型 MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是什么?
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下,MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...
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