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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LLC電路的ZVS零電壓開通十分重要,如果能夠保證ZVS,則無論是開關(guān)管的損耗,還是開關(guān)管的DS電壓應(yīng)力,都能夠得到比較好的效果。全球30A的開發(fā)過程證...
電子產(chǎn)品設(shè)計日益輕薄,使得電源模塊亦須提升切換頻率以縮小體積。藉由傅里葉級數(shù)頻域分析,研發(fā)人員將可掌握切換式降壓轉(zhuǎn)換器電源模塊輸出端漣波變化量,從而搭配...
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 是雙極型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET) 的復(fù)合器件,IGBT將BJT的電導調(diào)制效應(yīng)引入到VDMOS 的...
同步Buck和異步Buck的結(jié)構(gòu)對比 同步Buck的PCB布局要點
異步Buck變換器采用肖特基二極管作為續(xù)流管,而同步Buck變換器用MOSFET替代肖特基二極管進行續(xù)流,由于MOSFET的導通電阻很低,所以導通損耗較...
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):超結(jié)結(jié)構(gòu)
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但...
英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析
以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...
MOSFET作為開關(guān)的工作原理和優(yōu)勢 MOSFET開關(guān)電路圖
MOSFET,全稱為金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管,是一種電壓控制的開關(guān)器件。它的工作原理是,通過在柵極施加電壓,控制漏極和源極之間的電流。當柵極施加...
2024-01-03 標簽:電路圖開關(guān)電路MOSFET 5312 0
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。
2024-04-25 標簽:MOSFET開關(guān)電源控制電路 5305 0
雙路高速MOSFET驅(qū)動芯片TPS2812的基本介紹
今天和大家分享一顆雙路高速MSOFET驅(qū)動芯片-TPS2812的一些設(shè)計知識。這顆芯片是TI公司的一款驅(qū)動芯片,工業(yè)級。這顆芯片內(nèi)部集成了一顆LDO,最...
如何將第三代 SiC MOSFET 應(yīng)用于電源設(shè)計以提高性能和能效
作者:Bill Schweber 在各種電源應(yīng)用領(lǐng)域,例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等,人們不遺余力...
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