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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關(guān)鍵參數(shù),它決定了晶體管從關(guān)閉狀態(tài)過渡到開啟狀態(tài)所需的柵極電壓大小。M...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動設(shè)計
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特...
開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)...
2022-11-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源濾波電路 5257 0
柵極驅(qū)動器和功率 MOSFET 的放置對于前置驅(qū)動器電機(jī)驅(qū)動解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動器,例如 DRV...
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動布線 5252 0
基于SiC MOSFET的三相全橋數(shù)字化智能驅(qū)動器
隨著無人機(jī)和多電飛機(jī)的發(fā)展,更高的功率和效率成了機(jī)載電機(jī)驅(qū)動器的主要研究方向之一。現(xiàn)有的Si MOSFET開關(guān)速度雖快,但耐壓和耐流能力有限,無法實(shí)現(xiàn)大...
2022-04-29 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動器霍爾電流傳感器 5239 0
驅(qū)動模塊2SD315A的性能特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例分析
IGBT的驅(qū)動要求與其靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關(guān),即柵極的正偏壓、負(fù)偏壓和柵極電阻的大小,對IGBT的通態(tài)電壓、開關(guān)時間、開關(guān)損耗、承受短路能力、開關(guān)管C、...
開關(guān)MOSFET中產(chǎn)生振鈴和電壓尖峰的現(xiàn)象是電力電子轉(zhuǎn)換過程中常見的問題,尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中更是如此。這接下來,我們將詳細(xì)探討這些現(xiàn)象的起因。 振鈴...
采用東芝DTMOSIV超級結(jié)MOSFET來解決這些問題
功率開關(guān)應(yīng)用電路的基本元件主要有MOSFET和快速恢復(fù)二極管。MOSFET和恢復(fù)二極管對于采用全橋或零電壓開關(guān)/相移拓?fù)涞碾娦藕头?wù)器電源、全橋電機(jī)控制...
2018-04-08 標(biāo)簽:MOSFET東芝功率開關(guān) 5190 0
使用功率MOSFET的強(qiáng)大30A直流電機(jī)驅(qū)動器
在本文中,我們將討論如何構(gòu)建功能強(qiáng)大的直流電機(jī)驅(qū)動器,該驅(qū)動器可以使用 Arduino 或 Raspberry Pi 等微控制器,甚至是獨(dú)立的 PWM ...
如何在電源良好引腳上使用MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)溫度測量
設(shè)計人員經(jīng)常想測量直流開關(guān)電源的結(jié)溫。從安全和故障模式以及效果分析(FMEA)的角度來看,了解系統(tǒng)的結(jié)溫是一項(xiàng)重要且基本的要求。在許多應(yīng)用中,重要的是在...
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場,功率器件新局面正式開啟
進(jìn)一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
在柵源短接,漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同,實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
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