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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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采用NCPl337控制器實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振式開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用方案
隨著全球業(yè)界對(duì)電源效率的要求越來(lái)越高,包括ATX電源、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等在內(nèi)的電源需要更高的節(jié)能要求。
2021-03-09 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源控制器 4882 0
打開(kāi)這一年來(lái)半導(dǎo)體最熱門的新聞,大概就屬FinFET了,例如:iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管(FinFET)...
為什么MOS管要并聯(lián)一個(gè)二極管?有什么用?
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過(guò)來(lái)是金屬-...
硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來(lái)說(shuō),MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。
2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4866 0
對(duì)于H6橋拓?fù)涞膯蜗嗄孀兤魇沁x擇IGBT還是MOSFET功率開(kāi)關(guān)管呢?
對(duì)于這個(gè)問(wèn)題其實(shí)市場(chǎng)上在應(yīng)用中已經(jīng)有比較好的答案,目前在H6橋拓?fù)涞膯蜗喙夥孀兤髦薪?jīng)常會(huì)用到FGH60N60SMD的IGBT單管。
2023-04-11 標(biāo)簽:MOSFET逆變器快恢復(fù)二極管 4861 0
談?wù)凪OSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)的作用
MOSFET 對(duì)于現(xiàn)代模擬 IC 設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而,該文章主要關(guān)注 MOSFET 的大信號(hào)行為。
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)逆變器 4860 0
詳解MOS管的米勒效應(yīng)、開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、續(xù)流損耗
要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。
2023-08-21 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4857 0
使用Arduino和N溝道MOSFET制作一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器電路
在這個(gè)項(xiàng)目中,我們將使用Arduino和N溝道MOSFET制作一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器電路,最大電流容量為6安培。我們將把 12v DC 降壓到 0 到 10v ...
2022-12-29 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器Arduino 4857 0
節(jié)能性能優(yōu)異的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器——BD83070GWL
BD83070GWL是一款內(nèi)置MOSFET的升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC,適用于電池驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備。這款DC/DC轉(zhuǎn)換器IC不...
2021-01-07 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器可穿戴式設(shè)備 4848 0
自舉電路,就是每路的高壓側(cè)MOSFET用自舉電容供電,整個(gè)電路(半橋或者H橋或者三相橋)的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片只用一個(gè)電源就可以了,并且這種方法大大減少...
2023-01-30 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 4838 0
驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些 驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系
將控制信號(hào)進(jìn)行放大,以能夠提供足夠的功率和電流來(lái)驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高功率開(kāi)關(guān)元件。
空穴”帶正電,電子帶負(fù)電,但摻雜后的半導(dǎo)體本身為電中性。
Microchip電源管理MCP19111-MCP87000系列產(chǎn)品
本視頻介紹了MCP19111/MCP87XXX 電源管理產(chǎn)品以及組成的靈活高校的電源方案。MCP19111是全球首款數(shù)字增強(qiáng)型的功率模擬轉(zhuǎn)換器,MCP8...
開(kāi)關(guān)管MOSFET的損耗分析及其優(yōu)化方法
本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
開(kāi)關(guān)電源的基礎(chǔ)知識(shí) 單端反激式開(kāi)關(guān)電源原理解析
最近在某寶買了一個(gè)AC-DC 開(kāi)關(guān)電源,向他要一個(gè)原理圖,想著哪里壞了可以自己修一修,結(jié)果說(shuō)沒(méi)有。這我怎么能忍??于是自己就結(jié)合網(wǎng)上資料和板子的絲印畫(huà)出...
2023-07-26 標(biāo)簽:原理圖MOSFET開(kāi)關(guān)電源 4783 0
主動(dòng)整流技術(shù),也叫同步整流技術(shù),是近些年來(lái)出現(xiàn)的,為了提高整流效率,使用主動(dòng)控制的功率MOSFET開(kāi)關(guān)來(lái)代替整流二極管的一種技術(shù)。
5G射頻PA的Load-line與Load-pull背后的知識(shí)
說(shuō)到射頻PA(Power Amplifier,功率放大器)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用,有兩個(gè)名詞經(jīng)常被大家提及:Load-line與Load-pull。
Buck變換器MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程分析與損耗計(jì)算
前言:為了方便理解MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程及其損耗,以Buck變換器為研究對(duì)象進(jìn)行說(shuō)明(注:僅限于對(duì)MOSFET及其驅(qū)動(dòng)進(jìn)行分析,不涉及二極管反向恢復(fù)等損耗。)
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