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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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按施敏教授的觀點(diǎn),半導(dǎo)體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元:金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合,比如BJT由...
導(dǎo)入柵極屏蔽結(jié)構(gòu) 溝槽式MOSFET功耗銳減
更高系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首要目標(biāo)。為達(dá)此一目的,半導(dǎo)體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體...
2014-03-25 標(biāo)簽:MOSFET快捷半導(dǎo)體柵極屏蔽 4559 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)主要用于開關(guān)應(yīng)用中,具有高電壓和高電流的特點(diǎn)。它們具有更高的效率和更優(yōu)良的高速開關(guān)能力,因此成為電源設(shè)計(jì)中的...
2021-05-02 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì)晶體管 4547 0
Buck-Boost型變換器的工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域
Buck-Boost型變換器,也稱為Buck-Boost轉(zhuǎn)換器或升降壓變換器,是一種特殊的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器,其顯著特點(diǎn)在于其輸出電壓既可以...
2024-08-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變換器 4541 0
用LT8316簡化應(yīng)用中低元件數(shù)量、高效率解決方案的設(shè)計(jì)
LT8316 采用耐熱性能增強(qiáng)型 20 引腳 TSSOP 封裝,并移除了 8316 個引腳以實(shí)現(xiàn)高電壓間隔。通過對來自第三個繞組的隔離輸出電壓進(jìn)行采樣,...
2023-01-31 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET光耦合器 4532 0
人類社會的進(jìn)步離不開社會上各行各業(yè)的努力,各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設(shè)計(jì)者的努力,其實(shí)很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成,比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承諾短路能力,有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標(biāo)明短路能力的幾家,也通常把短路耐受時(shí)間(SCWT:shor...
當(dāng)續(xù)流二極管正向?qū)〞r(shí),輸出電流變化,二極管的正向壓降是恒定不變的,鍺管的壓降為0.3V,硅管的壓降為0.7V。
2020-04-06 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源續(xù)流二極管 4503 0
A6862主要特性和優(yōu)勢_汽車三相固態(tài)繼電器MOSFET驅(qū)動方案
Allegro MicroSystems公司的A6862是N溝功率MOSFET驅(qū)動器,具有三個獨(dú)立的浮置柵極驅(qū)動輸出,集成的電荷泵控制器穩(wěn)壓器在電源電壓...
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后,本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容:MOSFET在結(jié)...
ZETA升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個ZETA轉(zhuǎn)換器具有一個單個MOSFET (S1) 和一個單個二極管D1 (S2),ZETA轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-08 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 4478 0
線性功率MOSFETS的輸出特性和應(yīng)用設(shè)計(jì)
電子負(fù)載,線性穩(wěn)壓器或A類放大器等應(yīng)用程序在功率MOSFET的線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行,這需要高功耗能力和擴(kuò)展的正向偏置安全工作區(qū)(FBSOA)特性。這種工作模式...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET線性穩(wěn)壓器漏極電壓 4461 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記1:短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力,也就是說,在一定的短路耐受時(shí)間(short circuit withstand time SCWT)
功率半導(dǎo)體的定義和分類 功率器件的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體,又稱電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件之一。能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,在電路中主要起著功率轉(zhuǎn)換、功率放大、功率開關(guān)...
LLC的優(yōu)勢之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
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