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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

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經(jīng)過多年的發(fā)展,模擬運(yùn)算放大器技術(shù)已經(jīng)非常成熟,性能完美,種類繁多。這使得初學(xué)者不知道如何選擇合適的。為了方便初學(xué)者選擇,本文采用過程分類和功能/性能分...

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2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOSFET 4728 0

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2022-01-27 標(biāo)簽:MOSFET 4727 0

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為MOSFET提供一個供電,經(jīng)過電阻分壓從而得到分壓值,也即所謂的提供一個偏置電壓。

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AP8505/AP8507基于高壓同步整流架構(gòu),集成PFM控制器以及500V高可靠性MOSFET,用于外圍元器件極精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。

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電源驅(qū)動IC的作用是提供對電源開關(guān)器件的精確控制,同時保護(hù)電源和提供反饋控制功能,幫助實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的電源系統(tǒng)。

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2023-09-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 4700 0

高功率電動機(jī)各種元件所面臨的挑戰(zhàn)

對于緊湊型且性能強(qiáng)大的電動機(jī)的強(qiáng)烈需求給設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn),為了最大限度的提高小型電動機(jī)的輸出功率,工程師們正考慮采用高壓和高頻的方式。

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同步降壓轉(zhuǎn)換器TPS54302的功能特性及應(yīng)用范圍

TPS54302 是一款輸入電壓范圍為4.5V至28V的3A同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件包含兩個集成式開關(guān)場效應(yīng)晶體管 (FET) 并且具備內(nèi)部回路補(bǔ)償和 5...

2020-10-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet半導(dǎo)體 4692 0

晶體管入門基礎(chǔ)知識全面解析

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基極電壓升高時,BJT的基極電流開始流動,集電極電流與基極電流成正比。大約從0.7V開始發(fā)生電流流動。這個電壓被稱為基極-發(fā)射極閾值電壓(VBE)。

2024-03-27 標(biāo)簽:二極管MOSFET電阻器 4689 0

關(guān)于IGBT與MOSFET的不同

 MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。主要優(yōu)點(diǎn)是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大,缺點(diǎn)是擊穿電壓低,工作電流小。

2023-02-22 標(biāo)簽:MOSFET變頻器IGBT 4684 0

MOSFET的熱阻相關(guān)參數(shù)

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主要是關(guān)于MOSFET的基礎(chǔ)知識,但是發(fā)現(xiàn)看datasheet的時候還是一臉懵,有些參數(shù)好像是未曾相識,所以就有了現(xiàn)在的這個補(bǔ)充內(nèi)容,話不多說正式開始。

2023-04-26 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體電路板 4683 0

半導(dǎo)體行業(yè)制造工藝解析

半導(dǎo)體行業(yè)制造工藝解析

使用重離子可以形成源/漏擴(kuò)展(SDE)淺結(jié)(見下圖),通常PMOSSDE使用BF;,而NMOSSDE管使用Sb+重離子或As+。

2023-08-07 標(biāo)簽:CMOSMOSFET半導(dǎo)體 4673 0

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    海思
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  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    靜電防護(hù)
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    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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