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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
影響線性模式下溝槽MOSFET器件熱不穩(wěn)定性條件的因素分析
多年來,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展已取得了令人矚目的成果。當(dāng)今的設(shè)備具有顯著改善的性能,特別是在降低漏源導(dǎo)通狀態(tài)電阻,降低柵極電荷和提高開關(guān)速度方面。整個(gè)系統(tǒng)的低...
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體技術(shù) 4650 0
在高頻率下切換高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的利弊分析
為了解釋這些權(quán)衡,德州儀器工程師建造了三個(gè)獨(dú)立的電源,每個(gè)電源的開關(guān)頻率分別為100,300和750 kHz。如應(yīng)用筆記“設(shè)計(jì)高頻,高輸入電壓DC/DC...
2019-01-28 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器mosfet 4647 0
丙類放大器通過在不同的輸入信號(hào)振幅下在導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換,從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的高效放大。
基于IGBT / MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)方案
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT...
2021-06-14 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4640 0
都說酒是穿腸藥,色是刮骨刀,那么在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,咱門的MOS管大哥,便是傳統(tǒng)真空管電子以及分離式固態(tài)射頻電路的 意大利炮 ,正逐步用他那無與倫比的性能...
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)...
車規(guī)芯片與非車規(guī)芯片基本性能對(duì)比
功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路,是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件,由于其所具有的電能轉(zhuǎn)換特性,故也被稱為電能轉(zhuǎn)換芯片,于車...
我們?nèi)粘I钪锌倳?huì)接觸到很多充電設(shè)備,如筆記本,拓展塢等,在這些設(shè)備中為了保證電源的穩(wěn)定性會(huì)使用比較多的電容,這能夠保證設(shè)備電源穩(wěn)定,但同時(shí)也會(huì)帶來問題...
英飛凌CoolSiC? MOSFET滿足高性能三相逆變焊機(jī)的設(shè)計(jì)需求
在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中,大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源,開關(guān)頻率最高可以到50kHz,如果采用軟開關(guān)技術(shù),開關(guān)頻率還能更...
使用H橋電路來驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)的方案介紹
在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路示例中,可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓,從而控制施加到電機(jī)的電壓。
2021-03-11 標(biāo)簽:反饋電路MOSFET運(yùn)算放大器 4595 0
Nand Flash基礎(chǔ)知識(shí)與壞塊管理機(jī)制的介紹
Flash名稱的由來,F(xiàn)lash的擦除操作是以block塊為單位的,與此相對(duì)應(yīng)的是其他很多存儲(chǔ)設(shè)備,是以bit位為最小讀取/寫入的單位
2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFETLinux系統(tǒng)MLC 4587 0
電源模塊是一種基礎(chǔ)電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 它的作用是將輸入的電能按照要求轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電能,以供電子設(shè)備的各種電路使用。電源模塊的工作原...
關(guān)于mosfet前驅(qū)電路搭建的視頻教學(xué)
我們之前說到MOSFET前級(jí)電路是一個(gè)高壓電路,220V整流之后變成的一個(gè)310V的電壓。對(duì)于這樣的電來說,原本OFF的狀態(tài)下,電壓應(yīng)該是310V,MO...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場(chǎng)趨勢(shì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于...
ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析
本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以...
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 4576 0
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
所有的MOSFET都有體二極管嗎?它有什么作用呢?硬件工程師要搞懂的電路知識(shí)點(diǎn)
Part 01 前言 與三極管等其他的有源器件相比,MOSFET的不同尋常之處在于其原理圖符號(hào)會(huì)包含一個(gè)寄生器件——體二極管。那么是不是所有的MOSFE...
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