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      標(biāo)簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5655個 瀏覽：219937次 帖子：1132個

      mosfet技術(shù)

      通過Buck降壓調(diào)光驅(qū)動器的數(shù)字調(diào)光閃爍方案

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      為了驅(qū)動高側(cè)的MOSFET，線路中存在BOOT電容。在每次二極管導(dǎo)通過程中，芯片內(nèi)部路徑會對BOOT電容充電。

      2021-03-13 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器Boot 4276 0

      關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計挑戰(zhàn)

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      碳化硅（SiC）MOSFET提供了巨大的新特性和功能，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET，同時克服了驅(qū)動...

      2021-04-02 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4266 0

      功率MOSFET設(shè)計–功耗計算

      功率MOSFET設(shè)計–功耗計算

      功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動態(tài)損耗。

      2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET功耗計算 4264 0

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      SiC-MOSFET的體二極管的特性

      如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結(jié)構(gòu)上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結(jié)形成的，也被...

      2023-02-24 標(biāo)簽：二極管MOSFETSiC 4257 0

      MOSFET柵極驅(qū)動電路設(shè)計方案

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      必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產(chǎn)生電流。

      2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET電容雙極晶體管 4256 0

      基于ADC進(jìn)行數(shù)字控制的低噪聲APD偏置電路實現(xiàn)案例

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      雪崩光電二極管（APD）被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設(shè)計者的廣泛認(rèn)可。

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      有刷電機(jī)驅(qū)動芯片的電流輸出特性，如何增強(qiáng)驅(qū)動峰值電流？

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      本文會著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動芯片的電流輸出級特性，以及如何增強(qiáng)驅(qū)動峰值電流。

      2023-07-04 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)電流輸出 4250 0

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      2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 4246 0

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      晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開關(guān)和放大。MOSFET是場效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGF...

      2023-12-29 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 4231 0

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      碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

      2024-01-24 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 4230 0

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      當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時，就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離...

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      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。01作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心，IGBT結(jié)合了MOSFET...

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      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET充電器MOS管 4215 0

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      本文介紹了PhotoMOS MOSFET光控繼電器控制電路

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      2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET恒流源FET 4210 0

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      本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程，并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、...

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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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