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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護設(shè)計
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域...
在H橋電路中,高邊和低邊的概念描述了開關(guān)器件相對于負載或地的連接方式。這兩個術(shù)語通常用于描述開關(guān)器件(如晶體管、MOSFET等)在電路中的位置以及它們?nèi)?..
本文介紹一種大屏電視等大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計方案。它能突破電壓模式控制的諸多限制,具有更瞬速的動態(tài)反應(yīng),可顯著實現(xiàn)輕載和滿載時的高能效及超低待機能耗。
2016-01-13 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 4098 0
MOSFET管柵極為什么放置一個約100Ω串聯(lián)電阻
在一周前看到在公眾號“電機控制設(shè)計加油站”的一篇推文,“Why 100Ω? 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”(點擊加黑文字可以跳轉(zhuǎn)到該推文),對...
2022-07-25 標簽:串聯(lián)電阻MOSFET柵極 4095 0
在LLC拓撲中,選擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么
在當(dāng)前全球能源危機的形式下,提高電子設(shè)備的能效,取得高性能同時降低能耗,成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點。為順應(yīng)這一趨勢,世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標...
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
回到 ENIAC 時代,計算機本質(zhì)上更多是模擬的,并且使用的數(shù)字 IC 很少。今天,Joe 的計算機一般可以在多個電壓等級下工作,看過 CPU SMPS...
2022-08-29 標簽:MOSFET電平轉(zhuǎn)換器微處理器 4061 0
碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。
探究IGBT開關(guān)過程及其驅(qū)動設(shè)計的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路,評估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性:在功率轉(zhuǎn)換中,MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 標簽:MOSFET晶體管開關(guān)特性 4045 0
車身控制模塊設(shè)計的要求及不同方案的優(yōu)劣勢分析
隨著人們對汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來越多,如電動后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級功能等。
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