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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET,與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相...
在系統(tǒng)中采用低端驅(qū)動器的常見應(yīng)用介紹
NPN/ PNP圖騰柱具有由PWM輸出驅(qū)動的同相配置。該電路可防止雙極性階段的直通,因為一次只有一個圖騰柱器件可以正向偏置。
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計方案
對于可再生能源設(shè)備,如太陽能逆變器和儲能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
驅(qū)動有刷直流電機的簡便方法本文將從非?;A(chǔ)的部分開始介紹驅(qū)動有刷直流電機的方法??赡艽蠖鄶?shù)人都有在小學(xué)的理科實驗中或手工作品中將電池連接到有刷直流電機來...
PMOS防反接保護電路和MOS管防電源反接電路設(shè)計解析
隔離作用:也就是防反接,相當(dāng)于一個二極管。使用二極管,導(dǎo)通時會有壓降,會損失一些電壓。而使用MOS管做隔離,在正向?qū)〞r,在G極加合適的電壓,可以讓MO...
變壓器因繞組層數(shù)較多,會產(chǎn)生分布電容,在高頻狀態(tài)下工作時,這些分布電容對變壓器工作狀態(tài)產(chǎn)生很大的影響,如EMC變差、變壓器發(fā)熱等。所以盡必需要了解這些分布電容。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETEMC設(shè)計分布電容 3903 0
P溝道與N溝道MOSFET作為半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵元件,在電子電路設(shè)計中扮演著重要角色。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點以及應(yīng)用場景。
耦合電感通常用于多相拓?fù)?,以利用兩相之間磁耦合產(chǎn)生的電流紋波消除。通常,當(dāng)使用典型的分立電感時,電流紋波消除僅在多相降壓轉(zhuǎn)換器的輸出端發(fā)生。當(dāng)這些電感進...
2023-04-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 3895 0
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、...
MOSFET驅(qū)動器的工作原理 MOSFET作為開關(guān)的作用
當(dāng)我們使用 MCU(微控制器)制作產(chǎn)品或者搭建電路時,有時候希望通過 MCU 控制某些外設(shè)。外設(shè)可能是一個需要極小電流的設(shè)備,比如 LED,或者是大功率...
碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,它的工作原理...
請問怎么去測隔離芯片的關(guān)鍵指標(biāo)CMTI呢?
CMTI:Common mode transient immunity(共模瞬變抗擾度)是指對施加在隔離電路間的高速瞬變共模電壓的上升/下降容許速率dV...
電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計之高側(cè)與低側(cè)電池保護
設(shè)計 BMS 時,重要的是要考慮電池保護斷路器的放置位置。通常,這些電路采用 N 溝道 MOSFET 實現(xiàn),因為與 P 溝道 MOSFET 相比,它們的...
2024-04-18 標(biāo)簽:MOSFETCAN總線電池管理系統(tǒng) 3863 0
氮化鎵(GaN)器件具有類似硅的電性能,可以由硅MOSFET設(shè)計中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動產(chǎn)品驅(qū)動。
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種:增強型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3852 0
功率元器件應(yīng)用秘訣,采用專用MOSFET提高效率
金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
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