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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3694 0
淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個重要瓶頸:1)器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級相應(yīng)增加,其他結(jié)構(gòu)(溝道、JFET區(qū)等)的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
在上一篇文章中,我們通過工作原理和公式了解了有無驅(qū)動器源極引腳的差異和效果。有驅(qū)動器源極引腳的MOSFET可以消除源極引腳的電感帶來的影響,從而可降低開...
如何用單PMOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)?
在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)將負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。
此外,Q 3 在此期間消除250V電源的操作。此功能非常重要,因為電路必須將閃光燈管的陽極電流降至較低水平,使電子管復(fù)位并等待下一個周期。
2019-08-13 標(biāo)簽:MOSFETPCB打樣華強(qiáng)PCB 3656 0
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表:安全工作區(qū) (SOA) 圖
如圖1所示,可以用5個完全不同的限制條件來繪制整個SOA,每個限制條件規(guī)定了整個曲線的形狀,TI的100V D2PAK CSD19536KTT的SOA與...
單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計
本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和...
MOS驅(qū)動電阻的選擇和計算是MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計中的重要環(huán)節(jié),它直接影響到MOSFET的開關(guān)性能、穩(wěn)定性和效率。以下是對MOS驅(qū)動電阻選擇和計算方法...
PWM整流和相控整流是電力電子領(lǐng)域中兩種重要的整流技術(shù),它們在不同的應(yīng)用場景中各自發(fā)揮著重要作用。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)...
2022-11-03 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管晶體管 3646 0
單極型晶體管,也被稱為單極性晶體管或場效應(yīng)晶體管(Field-Effect Transistor, FET),是一種在電子學(xué)中廣泛使用的半導(dǎo)體器件。它的...
選擇IC需考慮控制器的架構(gòu)和內(nèi)部元件 以期高能效指標(biāo)
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2020-10-14 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 3641 0
每個 MOSFET 數(shù)據(jù)手冊都包含一個 SOA 圖,該圖描述了 MOSFET 暴露于特定電壓和電流的最長時間。圖1顯示了恩智浦半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊中PSMN1...
什么是MOSFET?MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
場效應(yīng)管是在三極管的基礎(chǔ)上而開發(fā)出來的。三極管通過電流的大小控制輸出,輸入要消耗功率。場效應(yīng)管是通過輸入電壓控制輸出,不消耗功率。就其性能而言,場效應(yīng)管...
2023-04-17 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 3623 0
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