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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

晶體管篇:關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流

晶體管篇:關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流

關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時(shí)的浪涌電流 負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會(huì)暫時(shí)流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時(shí),向輸出VO施加電壓的瞬間會(huì)流過大...

2021-05-17 標(biāo)簽:MOSFET浪涌電流旁路電容器 3540 0

運(yùn)算放大器的類型

運(yùn)算放大器的類型

目前,市面上有大量通用的和精密的運(yùn)算放大器可供選擇。精密運(yùn)算放大器穩(wěn)定性高,偏移電壓低,偏置電流小。可以查閱Datesheet選擇需要的運(yùn)算放大器??偟?..

2023-03-10 標(biāo)簽:放大器MOSFET運(yùn)算放大器 3534 0

600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計(jì)

600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設(shè)計(jì)

這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝...

2023-07-28 標(biāo)簽:電路圖PCBMOSFET 3533 0

惡劣環(huán)境下的開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

惡劣環(huán)境下的開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

本文介紹了工程師在將模擬開關(guān)和多路復(fù)用器設(shè)計(jì)成惡劣環(huán)境中使用的模塊時(shí)面臨的挑戰(zhàn),并提供了電路設(shè)計(jì)人員可用于保護(hù)脆弱部件的通用解決方案的建議。它還引入了一...

2023-01-29 標(biāo)簽:ESDMOSFET多路復(fù)用器 3532 0

英飛凌功率MOSFET產(chǎn)品的參數(shù)分析與研究

在上篇文章中,介紹了功率MOSFET的基本參數(shù)Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs、和Vgs。為了更深入的理解功率MOSFET的其它一些參數(shù),本文仍...

2020-07-14 標(biāo)簽:英飛凌mosfet功率 3532 1

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC SBD(碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管)是兩種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件,它們...

2024-09-10 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 3529 0

MOSFET的尺寸及伏安特性

MOSFET的尺寸及伏安特性

Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸,包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff(導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff),溝道的寬度W,絕緣層...

2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體伏安特性 3529 0

采用3.3V或更低直流電壓供電的微控制器方案

采用3.3V或更低直流電壓供電的微控制器方案

作者:Benabadji Mohammed Salim 當(dāng)今大多數(shù)微控制器(MCU)都采用3.3V或更低的直流電壓供電。間歇性使用的低功耗嵌入式系統(tǒng)涉及...

2021-02-23 標(biāo)簽:二極管MOSFET控制器 3528 0

GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET

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選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機(jī)效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。

2021-03-23 標(biāo)簽:MOSFETMOS管氮化鎵 3515 0

并聯(lián)理想二極管:使用MAX40200作為可擴(kuò)展的構(gòu)建模塊

并聯(lián)理想二極管:使用MAX40200作為可擴(kuò)展的構(gòu)建模塊

MOSFET 的導(dǎo)通電阻具有 強(qiáng)大的正溫度系數(shù),確保更熱的MOSFET 具有比較冷的MOSFET更大的電阻,迫使較冷的MOSFET采取 更近一點(diǎn)。因此,...

2023-01-03 標(biāo)簽:二極管PCBMOSFET 3503 0

基于MOSFET RFP50N06的功率逆變電路

基于MOSFET RFP50N06的功率逆變電路

這是基于單片IC HT82207的西方音樂發(fā)生器電路原理圖。這條賽道能夠帶您進(jìn)入狂野西部的世界。西方音樂已經(jīng)在芯片中編程。它采用 Holtek 的集成 ...

2022-07-04 標(biāo)簽:MOSFET逆變電路 3495 0

雙極性電源是如何提供電流的

雙極性電源是如何提供電流的

 雙極性電源提供電流的工作原理是怎么樣的吶?下圖的波形顯示了雙極性電源電路的工作狀態(tài)。在 VIN 端施加輸入電壓時(shí),如果輸入降至 12 V 以下,升壓轉(zhuǎn)...

2020-10-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電壓 3491 0

電池充電器的反向電壓保護(hù)準(zhǔn)則

在該電路中,MN1 連接在充電器/負(fù)載和電池端子之間連接的低側(cè)。

2021-06-26 標(biāo)簽:MOSFET漏極反向電池 3489 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標(biāo)簽:MOSFET光伏晶體管 3487 0

羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

羅姆第4代SiC MOSFET在電動(dòng)汽車電控系統(tǒng)中的應(yīng)用及其優(yōu)勢(shì)

羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET,是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。

2022-03-09 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻emc 3479 0

反激式轉(zhuǎn)換器RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)指南

反激式轉(zhuǎn)換器RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)指南

本文介紹反激式轉(zhuǎn)換器 RCD 緩沖電路的設(shè)計(jì)指南。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí),由于主變壓器的漏電感 (Llk) 與 MOSFET 的輸出電容 (COSS)...

2025-03-04 標(biāo)簽:二極管MOSFET反激式轉(zhuǎn)換器 3475 0

新型恒流控制電路滿足HB-LED精確和高效電流控制需求

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高亮度LED的亮度和色彩都取決于正向電流。要保證二極管串中的每個(gè)高亮度LED輸出亮度,可以將其串聯(lián)。但這種結(jié)構(gòu)需要電流控制電路具有較高的電壓。由于高亮度...

2021-02-20 標(biāo)簽:ledmosfet發(fā)光二極管 3474 0

同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用

同步降壓DC/ DC穩(wěn)壓器ADP2325的主要特性及應(yīng)用

ADP2325是一款全功能,雙輸出,降壓DC-DC調(diào)節(jié)器,基于電流模式架構(gòu)。ADP2325集成了兩個(gè)高端功率MOSFET和兩個(gè)低端驅(qū)動(dòng)器,用于外部N溝道...

2021-03-12 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 3470 0

同步降壓轉(zhuǎn)換器的工作原理和作用

同步降壓轉(zhuǎn)換器(Synchronous Buck Converter),作為一種重要的電源管理電路,其工作原理和作用在電子技術(shù)和電力電子領(lǐng)域中占據(jù)著重要...

2024-08-14 標(biāo)簽:MOSFET整流管同步降壓轉(zhuǎn)換器 3462 0

幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路詳解

幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路詳解

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2023-07-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源MOS管 3460 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí),它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用,那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理,智能循跡小車的應(yīng)用,智能循跡小車程序,循跡小車用途等知識(shí)吧!
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    LM2596
    +關(guān)注
    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光立方
    +關(guān)注
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    光模塊
    +關(guān)注
    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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  • CD4046
    CD4046
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    COMSOL
    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
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  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
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    服務(wù)機(jī)器人
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    +關(guān)注
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      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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