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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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反激式轉(zhuǎn)換器RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)指南
本文介紹反激式轉(zhuǎn)換器 RCD 緩沖電路的設(shè)計(jì)指南。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí),由于主變壓器的漏電感 (Llk) 與 MOSFET 的輸出電容 (COSS)...
2025-03-04 標(biāo)簽:二極管MOSFET反激式轉(zhuǎn)換器 3457 0
模擬電路中常用的器件其實(shí)不多,MOSFET、電阻、電容、電感、、BJT、diode。 現(xiàn)在分別說(shuō)一說(shuō),這些器件在模擬電路中都需要了解哪些性能參數(shù),...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護(hù)者可能會(huì)指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類(lèi)似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說(shuō)明SiC MOSFET比...
2021-01-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng) 3438 0
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
1000字搞懂MOSFET規(guī)格書(shū)中體二極管的關(guān)鍵參數(shù)以及電路設(shè)計(jì)關(guān)注點(diǎn)
Part 01 前言 上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管,我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的,并且MOSFET經(jīng)過(guò)了幾十...
2024-12-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET電路設(shè)計(jì) 3425 0
使用安森美新型SiC模塊構(gòu)建25kW快速電動(dòng)汽車(chē)充電樁
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中,我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車(chē)充電樁的開(kāi)發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET安森美 3424 0
RT6204應(yīng)用原理圖及設(shè)計(jì)指南
RT6204應(yīng)用原理圖如圖1所示。RT6204是一款電流模式轉(zhuǎn)換器,具有外部補(bǔ)償和外部軟啟動(dòng)功能。該轉(zhuǎn)換器具有集成的高邊 MOSFET 開(kāi)關(guān)和同步整流器...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電流模式 3422 0
如何利用運(yùn)算放大器和MOSFET構(gòu)建電流負(fù)載
測(cè)試電源和電池需要電流負(fù)載,該電流負(fù)載能夠吸收大電流并消耗大量功率。只需使用一個(gè)運(yùn)算放大器和一個(gè)功率MOSFET就可以構(gòu)建一個(gè)簡(jiǎn)單而準(zhǔn)確的電流負(fù)載,如圖...
基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元設(shè)計(jì)方法
摘要:隨著儲(chǔ)能變流器向大容量、模塊化發(fā)展,碳化硅(SiC)器件由于其低損耗、耐高溫的特性,逐漸成為研究熱點(diǎn)。然而SiC器件過(guò)高的開(kāi)關(guān)速度使其對(duì)電路中雜散...
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效...
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來(lái)快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 3393 0
提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢(shì)。對(duì)于當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言,具有高可靠性也是非常重要的。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢(shì)逐...
2023-07-15 標(biāo)簽:二極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 3392 0
基于MOSFET構(gòu)建的500W RMS功率放大器電路設(shè)計(jì)
這是基于MOSFET構(gòu)建的500WRMS功率放大器電路設(shè)計(jì)。該電路作為“LEGENDstageMasterMK2”在EE音頻愛(ài)好者中非常流行。這是一個(gè)非...
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對(duì)比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開(kāi)關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對(duì)低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)能效的工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)方案
電機(jī)在現(xiàn)代生活中無(wú)處不在,從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車(chē)、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國(guó)際能源署(International Energy Agency)的數(shù)...
2020-12-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 3381 0
掌握MOS管規(guī)格書(shū),參數(shù)縮寫(xiě)全解析
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高,器件的可靠性越好。參數(shù):雪崩耐量 - SURG (Surge Tolerance)
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
簡(jiǎn)述正激式開(kāi)關(guān)電源的工作原理
正激式開(kāi)關(guān)電源的工作原理相對(duì)復(fù)雜但高效,其工作原理主要涉及能量的轉(zhuǎn)換、傳輸和控制。
2024-08-19 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)管正激式開(kāi)關(guān)電源 3374 0
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