Part 01

前言

上一篇文章我們介紹了MOSFET的體二極管，我們知道了MOSFET體二極管在MOSFET中是廣泛存在的，并且MOSFET經(jīng)過了幾十年的工藝革新，在目前應(yīng)用比較廣泛的溝道MOSFET中也沒能完全解決這個(gè)問題，既然無(wú)法避免，那我們要考慮的是了解它，應(yīng)用它。關(guān)于MOSFET的體二極管，datasheet一般會(huì)給出以下幾個(gè)參數(shù)，體二極管連續(xù)正向電流，體二極管脈沖電流，體二極管正向電壓，體二極管反向恢復(fù)時(shí)間，體二極管反向恢復(fù)電荷這幾個(gè)參數(shù)。今天就詳細(xì)講解一下這個(gè)幾個(gè)參數(shù)的含義以及選型關(guān)注點(diǎn)。

Part 02

MOSFET的體二極管參數(shù)說明

1.Diode continuous forward current：體二極管連續(xù)正向電流 這個(gè)參數(shù)表示體二極管在連續(xù)導(dǎo)通時(shí)能夠承受的最大電流。這個(gè)值表示MOSFET在熱平衡狀態(tài)下能長(zhǎng)期承受的電流，規(guī)格書中的這個(gè)參數(shù)是廠家在特定條件下測(cè)出來(lái)的電流值，所以僅供參考，實(shí)際我們需要結(jié)合我們PCBA的散熱設(shè)計(jì)來(lái)計(jì)算實(shí)際能流過的電流，在此不展開說明，后續(xù)單獨(dú)開文章講解對(duì)應(yīng)的計(jì)算方法。 2.Diode pulse current：體二極管脈沖電流 體二極管能夠承受的瞬態(tài)（脈沖）電流，通常用于描述MOSFET短時(shí)間內(nèi)的耐大電流沖擊能力。該參數(shù)和體二極管連續(xù)正向電流是一樣的問題，規(guī)格書中的值僅供參考，實(shí)際需要結(jié)合我們PCBA的散熱設(shè)計(jì)來(lái)計(jì)算實(shí)際能流過的電流。 3.Diode forward voltage：體二極管正向電壓 體二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降，通常與正向電流相關(guān)聯(lián)。一般電流越大，體二極管正向電壓會(huì)更高。規(guī)格書中會(huì)給出體二極管正向電壓的測(cè)試條件，比如下圖環(huán)境溫度25℃，電流88A，對(duì)應(yīng)測(cè)出的最大體二極管正向電壓是1V，我們一般拿最大體二極管正向電壓乘以對(duì)應(yīng)的正向電流計(jì)算體二極管的功耗，來(lái)評(píng)估MOSFET的溫升。

MOSFET一般會(huì)給出體二極管正向電流&正向電壓&溫度的特性曲線，這樣我們可以基于電路的實(shí)際電流來(lái)更加精確的評(píng)估體二極管正向電壓。

4.Reverse recovery time：體二極管反向恢復(fù)時(shí)間 當(dāng)體二極管從正向?qū)ㄇ袚Q到反向阻斷狀態(tài)時(shí)，恢復(fù)到阻斷狀態(tài)所需的時(shí)間。對(duì)于高頻應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間越短越好，以減少開關(guān)損耗。長(zhǎng)的恢復(fù)時(shí)間會(huì)導(dǎo)致更多的反向電流和電磁干擾，此時(shí)就需要額外的濾波設(shè)計(jì)。如果MOSFET的體二極管恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，可以在外部并聯(lián)一個(gè)恢復(fù)時(shí)間較短的肖特基二極管。

5.Reverse recovery charge：體二極管反向恢復(fù)電荷 在體二極管反向恢復(fù)過程中，存儲(chǔ)在PN結(jié)中的電荷量。反向恢復(fù)過程是由電荷存儲(chǔ)效應(yīng)引起的，反向恢復(fù)時(shí)間就是正向?qū)〞r(shí)PN結(jié)存儲(chǔ)的電荷耗盡所需要的時(shí)間。所以這個(gè)參數(shù)僅供參考，我們重點(diǎn)關(guān)注的參數(shù)還是體二極管反向恢復(fù)時(shí)間。

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