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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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基于555定時(shí)器的負(fù)電壓發(fā)生器電路圖 負(fù)電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用
負(fù)電壓發(fā)生器,顧名思義,是一種能夠產(chǎn)生負(fù)電壓的電子設(shè)備。在電子電路中,電壓的極性對(duì)于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓,但在...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道...
車身控制模塊設(shè)計(jì)的要求及不同方案的優(yōu)劣勢(shì)分析
隨著人們對(duì)汽車的操控性及舒適性需求不斷升高,汽車車身中的電子設(shè)備越來越多,如電動(dòng)后視鏡、中控門鎖、玻璃升降器、車燈乃至其它更多的高級(jí)功能等。
2021-04-06 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 4042 0
一般情況下,技術(shù)規(guī)格書的標(biāo)準(zhǔn)值(即IC參數(shù)的值)中,包括最小值、典型值、最大值。有些參數(shù)只有最小值或最大值,或只有典型值,并非所有的參數(shù)都具備這三種值。
基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記介紹了使用飛兆半導(dǎo)體電源開關(guān)(FPS)的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設(shè)計(jì)程序和指南。使用包含本文中使用的所有方程式的FPSdesign輔助軟件,可以...
2021-05-21 標(biāo)簽:變壓器MOSFET反激式轉(zhuǎn)換器 4034 0
功率MOSFET的輸出電容Coss會(huì)隨著外加電壓VDS的變化而變化,表現(xiàn)出非線性的特性,超結(jié)結(jié)構(gòu)的高壓功率MOSFET采用橫向電場(chǎng)的電荷平衡技術(shù),如圖1...
同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器TPS54061的主要特性及應(yīng)用
TI公司的TPS54061是集成了高邊和低邊MOSFET的60V 200mA同步降壓DC / DC轉(zhuǎn)換器,采用電流模式控制,簡(jiǎn)化了外部補(bǔ)償和靈活選擇元件...
2021-03-12 標(biāo)簽:傳感器轉(zhuǎn)換器mosfet 4019 0
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法
本篇文章簡(jiǎn)單介紹IGBT工作時(shí)序及門極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法,引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門極保護(hù)TVS,同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓,借此介紹非...
如何將SiC庫導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫,這些組件現(xiàn)在在...
超低待機(jī)功耗DC-DC控制器芯片實(shí)現(xiàn)同級(jí)最佳的EMI效能
推薦一款2A 同步直流對(duì)直流降壓轉(zhuǎn)換器,提供領(lǐng)先同類產(chǎn)品的 EMI 效能,涵蓋各種輸入及輸出電壓。這類裝置非常適合多項(xiàng)產(chǎn)品應(yīng)用,其中包括家電用品、工業(yè)電...
2020-06-08 標(biāo)簽:MOSFETemi降壓轉(zhuǎn)換器 3979 0
什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析
800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴...
基于電流采樣運(yùn)放的DCDC電源輸出線損補(bǔ)償電路的詳細(xì)推導(dǎo)計(jì)算
本文以LMR14030和INA213為例,給出了線損補(bǔ)償?shù)脑敿?xì)推導(dǎo)。當(dāng)客戶需要更改電路器件(例如使用不同的DCDC或電流采樣運(yùn)放)或更改電路參數(shù)(例如要...
溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一,為防止過熱導(dǎo)致的MOS失效,使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過程中產(chǎn)生的各種損...
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中,作為電子開關(guān)或放大器使用。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同,晶體管可以分為多種類型。以下主要介紹雙極型晶體管(B...
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 3964 0
在電子工程領(lǐng)域中,MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高集成度、低功耗等特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOSFET在開關(guān)過程中可能...
DC-DC大電流高效降壓電流模式單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器WD5065B概述
WD5065B是電流模式單片降壓開關(guān)穩(wěn)壓器,在4.7V-65V的寬輸入范圍內(nèi)工作,通過集成的高端N溝道MOSFET提供高達(dá)5A的連續(xù)輸出電流。在輕負(fù)載的...
2022-06-24 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器DC-DC 3952 0
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