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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET場效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的...
2023-07-11 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管TTL電平 4197 0
逆變器是將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC)的電力設(shè)備,由于光伏組件或電化學(xué)儲(chǔ)能電池組輸出的是直流電,而現(xiàn)代電網(wǎng)又是以交流電形式傳輸
高可用性系統(tǒng)通常使用并行電源或電池饋電來實(shí)現(xiàn)冗余并增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。傳統(tǒng)上,肖特基ORing二極管用于在負(fù)載點(diǎn)連接這些電源,并防止回饋到故障電源中。不幸的...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體有如下優(yōu)勢,如低損耗、高速開關(guān)、高溫...
提到FET,學(xué)電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場效應(yīng)管。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管FET 4183 0
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的H橋的實(shí)際控制(切換)。 H橋電路:輸出狀態(tài)的切換 在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個(gè)端子施加電壓時(shí)有四種連接方式: ①兩...
2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 4175 0
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作原理
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
Buck變換器,也稱為降壓轉(zhuǎn)換器或步進(jìn)電壓降壓器,是一種重要的電力電子設(shè)備,用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流電壓。其工作原理基于電感儲(chǔ)能和電磁感應(yīng)的基本原...
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...
在雙MOS管Buck電路中,有兩個(gè)MOSFET管,并且它們直接與電源和負(fù)載相連。具體而言,其中一個(gè)MOSFET管與電源相連,另一個(gè)MOSFET管與負(fù)載相...
本文將為您介紹第二個(gè)主題“三相調(diào)制逆變電路的基本工作”。在上一主題中已經(jīng)提到過,從本文開始我們將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的“正弦波驅(qū)動(dòng)(三相調(diào)制)方式”為例進(jìn)行講解。
2024-01-17 標(biāo)簽:MOSFET正弦波電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4150 0
探討在DC/DC變換器的恒定導(dǎo)通時(shí)間控制方案
第一因素是誤差放大器。在電壓反饋環(huán)路中,補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的誤差放大器充當(dāng)了低通濾波器的作用,從而拉長了變換器對輸出電壓變化的響應(yīng)時(shí)間。
2021-01-27 標(biāo)簽:MOSFET低通濾波器DC-DC轉(zhuǎn)換器 4147 0
如何選擇升壓穩(wěn)壓器/控制器IC并使用LTspice選擇外設(shè)元件
圖5顯示了異步升壓拓?fù)涞暮喕韴D,圖6顯示了異步降壓拓?fù)涞暮喕韴D。兩者的D模塊是驅(qū)動(dòng)功率MOSFET的PWM信號,開關(guān)周期的占空比由輸入和輸出電壓...
反激變換器常用于進(jìn)行AC/DC和DC/DC轉(zhuǎn)換的開關(guān)模式電源,尤其是中低功率范圍(約2W至100W)的電源。在這個(gè)功率范圍內(nèi),反激變換器在尺寸、成本和效...
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
SiC FET由UnitedSiC率先制造,現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻(RDS.A),運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄...
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