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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方案-PN8143T
一、概述PN8143T內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。PN8143T單相智能電表開(kāi)關(guān)電源方...
2024-11-01 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源智能電表 1340 0
三菱電機(jī)新開(kāi)發(fā)了3.3kV金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管碳化硅模塊(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD-Embedded)技術(shù),可以...
功率MOSFET有二種類(lèi)型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
利用低電平有效輸出驅(qū)動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)
在無(wú)線收發(fā)器等應(yīng)用中,系統(tǒng)一般處于偏遠(yuǎn)地區(qū),通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行干預(yù),此類(lèi)應(yīng)用必須持續(xù)運(yùn)行。系統(tǒng)持續(xù)無(wú)活動(dòng)或掛起后,需要復(fù)位系統(tǒng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:微控制器MOSFET電源開(kāi)關(guān) 838 0
使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器,浪涌抑制器、電子保險(xiǎn)絲和理想二極管控制器,在啟動(dòng)和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會(huì)發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊(cè)通常...
MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
2024-10-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 1479 0
負(fù)載電容對(duì)電源轉(zhuǎn)換器啟動(dòng)過(guò)程的影響
理想的電源轉(zhuǎn)換器需要無(wú)論負(fù)載如何變化都保持輸出電壓穩(wěn)定。在實(shí)際應(yīng)用中,負(fù)載瞬態(tài)期間選擇不合適的輸出電容會(huì)導(dǎo)致過(guò)高的紋波電壓和浪涌電流,從而影響電源轉(zhuǎn)換器...
2024-10-28 標(biāo)簽:電容器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 732 0
深圳銀聯(lián)寶科技推出了很多PSR原邊反饋開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)方案,利用初級(jí)(原邊)調(diào)節(jié)技術(shù)、變壓器容差補(bǔ)償、線纜補(bǔ)償和EMI優(yōu)化技術(shù),來(lái)監(jiān)控負(fù)載、電源和溫度的實(shí)時(shí)...
Vishay漏極至源極耐壓MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3
VishayTrenchFET第四代MOSFET是新一代TrenchFET系列功率MOSFET,具有業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻RDS(on)的特性,進(jìn)一步降低了導(dǎo)...
2024-10-25 標(biāo)簽:MOSFETVishay電機(jī)驅(qū)動(dòng) 582 0
仁懋MOSFET在植保無(wú)人機(jī)的應(yīng)用
在現(xiàn)代農(nóng)業(yè)中,植保無(wú)人機(jī)正變得越來(lái)越重要。它們不僅提高了作業(yè)效率,還降低了人力成本,同時(shí)減少了農(nóng)藥的使用量。今天,我們要聊的是仁懋MOSFET在植保無(wú)人...
2024-10-25 標(biāo)簽:MOSFET無(wú)人機(jī)仁懋電子 786 0
同步整流芯片U7710SG是低待機(jī)應(yīng)用的理想選擇
同步整流芯片U7710SG是低待機(jī)應(yīng)用的理想選擇SHENZHENYLBU7710SG可持續(xù)發(fā)展和既定政策的碳排放計(jì)劃場(chǎng)景當(dāng)中,超過(guò)三分之一的碳排放目標(biāo),...
BiGaN開(kāi)關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來(lái)自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)免受浪涌影響,都依賴(lài)于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
ST NPI 新上架開(kāi)發(fā)板 【EVL250WMG1L】
ESDAxxWY系列:汽車(chē)應(yīng)用中的ESD保護(hù)。在確保汽車(chē)應(yīng)用安全性的同時(shí)縮減PCB尺寸。ESDAxxWY采用緊湊的SOT323-3L封裝,使PCB尺寸減...
仁懋MOSFET在工業(yè)電焊機(jī)上的應(yīng)用
在現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域,電焊機(jī)作為不可或缺的工具之一,其性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。仁懋電子有限公司,作為一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體功率器件智能智造的高新技術(shù)企業(yè)...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特...
汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過(guò)去的二十年,MOSFET主要用作開(kāi)關(guān)器件,得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對(duì)較小的開(kāi)關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過(guò)去的二十年間,MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱(chēng)為“硅極限”。為了突...
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 1407 0
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