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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET,全稱(chēng)Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是...
MOSFET閾值電壓是什么?影響MOSFET閾值電壓的因素有哪些?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子學(xué)中極為重要的器件之一,廣泛應(yīng)用于集成電路、電源管理、信號(hào)處理等多個(gè)領(lǐng)域。其核心特性之一便是其閾值...
什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?柵極驅(qū)動(dòng)器的工作原理
柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate Driver)是一種電路,主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的柵極信號(hào),以便控制器能夠更好地...
2024-07-19 標(biāo)簽:MOSFET晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 1.9萬(wàn) 0
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開(kāi)關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...
Buck變換器,也稱(chēng)為降壓轉(zhuǎn)換器或步進(jìn)電壓降壓器,是一種重要的電力電子設(shè)備,用于將直流電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流電壓。其工作原理基于電感儲(chǔ)能和電磁感應(yīng)的基本原...
SK Powertech 碳化硅MOSFET技術(shù)介紹與應(yīng)用潛力
碳化硅(SiC)器件在工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中得到廣泛認(rèn)可,例如電動(dòng)汽車(chē)(EV)牽引逆變器和車(chē)載充電器、快速電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏、儲(chǔ)能、固態(tài)變...
2024-07-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET碳化硅 653 0
基于555定時(shí)器的負(fù)電壓發(fā)生器電路圖 負(fù)電壓發(fā)生器的工作原理和應(yīng)用
負(fù)電壓發(fā)生器,顧名思義,是一種能夠產(chǎn)生負(fù)電壓的電子設(shè)備。在電子電路中,電壓的極性對(duì)于電路的功能和性能具有重要影響。雖然大多數(shù)電子設(shè)備主要使用正電壓,但在...
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種單極型半導(dǎo)體器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一種利用電場(chǎng)控制半導(dǎo)體材料中電流流動(dòng)的器件。...
得益于寬禁帶半導(dǎo)體的材料優(yōu)勢(shì),SiCMOSFET在電力電子行業(yè)中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。SiCMOSFET很多性能與傳統(tǒng)Si基器件不同,對(duì)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)也提出了更高...
2024-07-12 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)SiC 561 0
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)...
電源輸入電壓范圍裕量太小導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行故障
電源輸入電壓范圍裕量太小導(dǎo)致的設(shè)備運(yùn)行故障某設(shè)備批量生產(chǎn)并銷(xiāo)售后,在某個(gè)客戶(hù)處多臺(tái)設(shè)備出現(xiàn)故障。調(diào)試發(fā)現(xiàn),故障發(fā)生的共同原因是單板上的一顆電源芯片損壞。...
DC/DC是將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,原理是利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過(guò)可控開(kāi)關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)的動(dòng)作,將輸入的電能...
2024-07-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1.1萬(wàn) 0
隨著全球能源需求的不斷增長(zhǎng)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為一種清潔、環(huán)保的可再生能源技術(shù),得到了前所未有的重視和快速發(fā)展。光伏逆變器是將太陽(yáng)...
AI數(shù)據(jù)中心電力飆升,安森美高能效MOSFET如何見(jiàn)招拆招?
安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù),降低了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,并進(jìn)而顯著降低了其 Qg,RDS(O...
2024-06-29 標(biāo)簽:MOSFET安森美數(shù)據(jù)中心 1098 0
兼容JW5017S 30V/1A 1.4MHz同步降壓轉(zhuǎn)換IC
該RY8310是一種高頻,同步,整流,降壓,開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器與內(nèi)部功率MOSFET。它提供了一個(gè)非常緊湊的解決方案,可在寬的輸入電源范圍內(nèi)提供1A的連續(xù)電...
2024-06-24 標(biāo)簽:MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換IC 649 0
柵極接地NMOS是一種廣泛應(yīng)用的片上ESD器件結(jié)構(gòu),為達(dá)到特定ESD防護(hù)等級(jí),一般會(huì)采用多叉指版圖形式來(lái)減小器件占用的芯片面積。但是,多叉指柵極接地NM...
驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開(kāi)關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開(kāi)啟電壓更低的特點(diǎn),越來(lái)越廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
2024-06-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3500 0
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