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MOS管在光伏逆變器中的應(yīng)用

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 ? 2024-07-05 09:34 ? 次閱讀

隨著全球能源需求的不斷增長(zhǎng)和環(huán)境污染問(wèn)題的日益嚴(yán)峻,太陽(yáng)能光伏發(fā)電作為一種清潔、環(huán)保的可再生能源技術(shù),得到了前所未有的重視和快速發(fā)展。光伏逆變器是將太陽(yáng)能光伏陣列產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備,其中MOSFET管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在光伏逆變器中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET管具有高開關(guān)速度、高效率和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),使其成為光伏逆變器中的理想選擇。

MOSFET管是一種通過(guò)電場(chǎng)控制導(dǎo)通狀態(tài)的半導(dǎo)體器件,分為N溝道和P溝道兩種類型。其基本結(jié)構(gòu)包括源極、漏極和柵極。通過(guò)在柵極施加電壓,可以控制源極和漏極之間的電流導(dǎo)通或截止。MOSFET管的開關(guān)特性使其非常適用于高頻、高效率的開關(guān)電路

DC-AC轉(zhuǎn)換階段:

在光伏逆變器的DC-AC轉(zhuǎn)換階段,MOSFET管用于全橋或半橋逆變電路,通過(guò)高頻開關(guān)實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。此階段要求MOSFET管具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻,以提高轉(zhuǎn)換效率和可靠性。

功率因數(shù)校正(PFC):

MOSFET管在PFC電路中用于提高系統(tǒng)的功率因數(shù)和降低諧波失真。高效的PFC電路可以顯著改善電能質(zhì)量,使逆變器更加高效和環(huán)保。

◆ 最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT):

MPPT控制電路通過(guò)調(diào)節(jié)MOSFET管的工作狀態(tài),使光伏陣列在不同環(huán)境條件下始終工作在最大功率點(diǎn)。MOSFET管的快速響應(yīng)特性對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效的MPPT控制至關(guān)重要。

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MPPT電路DC-DC應(yīng)用中MOSFET管的開關(guān)頻率高達(dá)幾百KHz,對(duì)MOSFET管的動(dòng)態(tài)參數(shù)要求較高,SGT管的低Ciss、Crss,低內(nèi)阻的特性非常適合高頻應(yīng)用。DFN5*6 TO-252、TO-220/247封裝為主。

整流電路應(yīng)用貼片TTF封裝,小尺寸大電流、快恢復(fù)特點(diǎn),可顯著提升效率,降低EMI,滿足高效率和高功率密度的性能要求

MOSFET管在逆變器應(yīng)用主要為前級(jí)升壓和后級(jí)逆變兩部分。前級(jí)升壓將電池電壓升至高壓,后級(jí)逆變將高壓逆變成交流電。MOSFET管選型封裝一般有TO-252,DFN5*6,TO-220,TO-247等為主。后級(jí)逆變常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)為全橋逆變,一般選用650~1200V 高壓MOS,封裝TO-220/TO-247插件封裝為主。

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出的MOSFET管具有高可靠性、低導(dǎo)通損耗和高雪崩能力等特點(diǎn),這些特性使其在逆變器應(yīng)用中顯得尤為重要和可靠。

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深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱MDD辰達(dá)半導(dǎo)體)是一家專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試及銷售的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。

公司深耕半導(dǎo)體領(lǐng)域16載,始終堅(jiān)持以產(chǎn)品技術(shù)為驅(qū)動(dòng),以客戶需求為核心,打造涵蓋MOSFET、二極管、三極管、整流橋、SiC等全系列、高可靠、高性能的產(chǎn)品服務(wù)矩陣,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、通信、家電、醫(yī)療、照明、安防、儀器儀表等多個(gè)領(lǐng)域,服務(wù)于全球40多個(gè)國(guó)家與地區(qū)。

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原文標(biāo)題:MDD小課堂,MOS管在光伏逆變器中的關(guān)鍵角色與選型分析

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