完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
文章:5670個(gè) 瀏覽:220070次 帖子:1132個(gè)
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET安森美 2488 0
一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān)芯片—U7715
同步整流芯片U7715是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開(kāi)關(guān),可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
汽車(chē)區(qū)域控制器架構(gòu)趨勢(shì)下的SmartFET應(yīng)用
汽車(chē)市場(chǎng)正在轉(zhuǎn)向區(qū)域控制器架構(gòu)的趨勢(shì)方向,而汽車(chē)區(qū)域控制器架構(gòu)正朝著分布式、集成化、智能化的方向發(fā)展,以實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理、功能整合與自動(dòng)駕駛支持。
集成智能開(kāi)通檢測(cè)功能的同步整流ic U7116有什么特性呢?
深圳銀聯(lián)寶科技的30W快充應(yīng)用同步整流ic除了常用的U7710、U7711,還有U7716也很受客戶(hù)青睞。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
6種抑制開(kāi)關(guān)電源啟動(dòng)浪涌電流的方法
開(kāi)關(guān)電流的浪涌電流是指電源開(kāi)啟瞬間流入供電設(shè)備的峰值電流,如下所示,由于充電器的輸入濾波電容快速充電,峰值電流遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。
2024-03-18 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源晶閘管 3153 0
探究IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程及其驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素
IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開(kāi)關(guān)特性的測(cè)試電路,評(píng)估IGBT的開(kāi)通及關(guān)斷行為。
降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡(jiǎn)單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷??刂?IC(未圖示)使用閉合反饋環(huán)路來(lái)控制...
MOS管的導(dǎo)通條件 MOS管的導(dǎo)通過(guò)程
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來(lái)控制,對(duì)于增強(qiáng)型MOS管來(lái)說(shuō),N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通,P溝道的管子則加反向電壓。
MOSFET簡(jiǎn)介金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET。是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。MOSFET依照其“通道”(工作載...
功率放大器有哪些類(lèi)型 5種類(lèi)型盤(pán)點(diǎn)
這種類(lèi)型的放大器只有一部分信號(hào)周期內(nèi)的輸出晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài),通常用于需要高效率但可以容忍較高失真的應(yīng)用,例如射頻傳輸。
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍,使得能...
MOSFET在便攜儲(chǔ)能上的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
針對(duì)便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)應(yīng)用,龍騰半導(dǎo)體的高壓SJMOS,其產(chǎn)品優(yōu)勢(shì): 針對(duì)QR反激拓?fù)洌瑑?yōu)化開(kāi)關(guān)速度,更容易通過(guò)EMI測(cè)試; 針對(duì)諧振拓?fù)洌瑑?yōu)化體二極...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC移動(dòng)電源 1146 0
基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器即將大規(guī)?!吧宪?chē)”
在當(dāng)今全球汽車(chē)工業(yè)駛向電動(dòng)化的滾滾浪潮中,一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動(dòng)汽車(chē)整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器。
2024-03-13 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET逆變器 2443 0
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開(kāi)關(guān)電源 1845 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |