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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動(dòng)信號(hào)經(jīng)過(guò)圖騰柱放大后,經(jīng)過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg給MOSFET驅(qū)動(dòng)。
數(shù)字信號(hào)在時(shí)間上和取值上都是不連續(xù)的。數(shù)字信號(hào)存在“采樣”,數(shù)字信號(hào)的值只能在采樣點(diǎn)變化。數(shù)字信號(hào)存在“量化”,數(shù)字電路中使用的數(shù)字信號(hào)一般只能取0和1。
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿(mǎn)足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
2024-01-20 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET晶體管 1603 0
反激CCM模式的開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗詳解
電源設(shè)計(jì)工程師在選用 Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí),大多直接以 Power MOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初...
談?wù)凪OSFET的小信號(hào)特性在模擬IC設(shè)計(jì)的作用
MOSFET 對(duì)于現(xiàn)代模擬 IC 設(shè)計(jì)至關(guān)重要。然而,該文章主要關(guān)注 MOSFET 的大信號(hào)行為。
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETIC設(shè)計(jì)逆變器 4864 0
功率MOSFET有兩種類(lèi)型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管,要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇,N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多,成本低;P溝...
安全工作區(qū):SOA(Safe operating area)是由一系列(電壓,電流)坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域,開(kāi)關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不會(huì)超過(guò)該...
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETSOA開(kāi)關(guān)器件 1788 0
隨著電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高,器件的單位功率也越來(lái)越大,特別是在5G通信、汽車(chē)電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
igbt模塊型號(hào)及參數(shù) igbt怎么看型號(hào)和牌子
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件,它的特點(diǎn)是結(jié)合了MO...
作為半導(dǎo)體技術(shù)的一個(gè)重要分支,主要是指那些能夠處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,負(fù)責(zé)電能的轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)與控制。功率半導(dǎo)體的出...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開(kāi)關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
本文將為您介紹第二個(gè)主題“三相調(diào)制逆變電路的基本工作”。在上一主題中已經(jīng)提到過(guò),從本文開(kāi)始我們將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的“正弦波驅(qū)動(dòng)(三相調(diào)制)方式”為例進(jìn)行講解。
2024-01-17 標(biāo)簽:MOSFET正弦波電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4139 0
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (Power MOSFET) 由于輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快,并且具有負(fù)溫度系數(shù)(溫度上升時(shí)電流減少),因此被認(rèn)為是一種理...
2024-01-16 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 1575 0
在28nm以下,最大器件長(zhǎng)度限制意味著模擬設(shè)計(jì)者通常需要串聯(lián)多個(gè)短長(zhǎng)度MOSFET來(lái)創(chuàng)建長(zhǎng)溝道器件。
2024-01-15 標(biāo)簽:MOSFET 1634 0
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是一種電子電源電路,用于將不穩(wěn)定的輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。它通過(guò)周期性地開(kāi)關(guān)和關(guān)閉電路中的開(kāi)關(guān)元件(通常是晶體管或功率MOSFET),以...
2024-01-15 標(biāo)簽:電路圖MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2977 0
LED照明驅(qū)動(dòng)ic U6113 品質(zhì)觸手可及
一個(gè)達(dá)標(biāo)的LED照明商品一定是結(jié)構(gòu)合理、燈具表面細(xì)致、各構(gòu)件結(jié)構(gòu)性和多功能性配對(duì)、有詳細(xì)清楚的燈具商品標(biāo)簽貼紙等。
LED驅(qū)動(dòng)器是一種電源調(diào)整電子器件,主要用于驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光或LED模塊組件正常工作。由于LEDPN結(jié)的導(dǎo)通特性決定,它能適應(yīng)的電源的電壓和電流變動(dòng)范圍十...
2024-01-12 標(biāo)簽:電路圖MOSFET驅(qū)動(dòng)器 2.1萬(wàn) 1
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