01概念解析

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率開關(guān)器件，也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。

MOSFET具有三個(gè)主要區(qū)域：漏極（Drain）、源極（Source）和柵極（Gate）。其中，漏極和源極之間的通道通過柵極控制。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，形成一個(gè)電場(chǎng)，使得通道中的載流子（電子或空穴）能夠流動(dòng)。這樣就實(shí)現(xiàn)了從漏極到源極的導(dǎo)通。MOSFET可以分為兩種類型：N溝道型和P溝道型。N溝道型MOSFET中，通道內(nèi)主要是負(fù)載流子——電子；而P溝道型MOSFET則以正載流子——空穴為主。

02應(yīng)用范圍

MOSFET在電路中的作用主要包含以下幾個(gè)方面：

1.功率開關(guān)：MOSFET可以作為高效的功率開關(guān)，控制電流的通斷。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度，能夠?qū)崿F(xiàn)高效能源轉(zhuǎn)換和精確的功率控制。

2.信號(hào)放大：MOSFET可以用作信號(hào)放大器，在模擬電路中起到放大、增益和調(diào)節(jié)信號(hào)的作用。通過調(diào)整柵極-源級(jí)之間的電壓來控制輸出信號(hào)。

3.邏輯門：MOSFET可以構(gòu)成各種邏輯門（如與門、或門、非門等），實(shí)現(xiàn)數(shù)字邏輯功能。通過柵極-源級(jí)之間的輸入電壓來控制輸出狀態(tài)。

4.模擬開關(guān)：由于其低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)特性，MOSFET可用于模擬開關(guān)應(yīng)用，如音頻放大器、數(shù)據(jù)選擇器等。

5.驅(qū)動(dòng)器/驅(qū)動(dòng)器：MOSFET可以使用在驅(qū)動(dòng)器和驅(qū)動(dòng)器中，提供快速的開關(guān)能力，并控制外部設(shè)備的運(yùn)行。它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中被廣泛使用，如直流至直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器、步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等。

6.放大器：MOSFET可以構(gòu)成不同類型的放大器，如共柵放大器和共源放大器。它們?cè)谛⌒盘?hào)和小功率應(yīng)用中提供高增益，并廣泛應(yīng)用于音頻放大器、射頻前端等領(lǐng)域。

03關(guān)鍵選型參數(shù)

在MOSFET選型過程中需要考慮以下幾個(gè)重要參數(shù)

1.額定電壓（Vds）：這是MOSFET能夠承受的最大電壓。確保所選MOSFET的額定電壓高于實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的最大電壓。

2.最大漏極-源級(jí)電流（Id）：這是MOSFET能夠承受的最大漏極-源級(jí)電流。確保所選MOSFET的額定電流高于實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的最大負(fù)載。

3.導(dǎo)通時(shí)漏極-源級(jí)電阻（Rds(on)）：這是指在導(dǎo)通狀態(tài)下，從漏極到源級(jí)之間存在的導(dǎo)通阻抗。較低的Rds(on)值表示更好地導(dǎo)通性能和更低功耗。

4.開關(guān)速度：包括開啟時(shí)間（turn-ontime）和關(guān)閉時(shí)間（turn-offtime）?？焖匍_關(guān)速度可以提高系統(tǒng)效率，并減少功耗損失。

5.溫度特性：了解MOSFET在不同溫度下性能變化情況，以確保其在實(shí)際工作環(huán)境中穩(wěn)定可靠。

6.封裝類型和散熱設(shè)計(jì)：根據(jù)具體應(yīng)用需求選擇適當(dāng)尺寸、形狀和散熱特性良好的封裝類型，并確保設(shè)計(jì)合適的散熱解決方案，以提高M(jìn)OSFET的整體可靠性和性能。

04主要供應(yīng)商概覽

全球范圍內(nèi)MOSFET主要供應(yīng)商概覽：

1.意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。是世界最大的半導(dǎo)體公司之一

2.羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一，是總部位于日本京都市的跨國集團(tuán)公司。"品質(zhì)第一"是羅姆的一貫方針。

3.Nexperia總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司。

4.英飛凌科技公司在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門。

5.安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。

6.杭州士蘭微電子股份有限公司，坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，是專業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)的高新技術(shù)企業(yè)。

7.浙江晶能微電子有限公司，注冊(cè)地位于浙江省杭州市余杭區(qū)，主要從事半導(dǎo)體分立器件設(shè)計(jì)、制造與銷售。

8廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司，注冊(cè)地址位于廣州市南沙區(qū)南沙街道,公司經(jīng)營范圍包括：分立器件設(shè)計(jì)、制造與銷售。

05總結(jié)

MOSFET以其高速開關(guān)、低功耗、可靠性好等特點(diǎn)，在許多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，是括數(shù)字和模擬集成電路設(shè)計(jì)、動(dòng)力控制系統(tǒng)和能源管理等設(shè)計(jì)中不可或缺的元件。

此外，MOSFET的選型不能單單只考慮產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)，因素如價(jià)格、供貨可靠性、技術(shù)支持等。綜合考慮以上參數(shù)，并根據(jù)具體應(yīng)用需求進(jìn)行權(quán)衡取舍，選擇適合項(xiàng)目要求并符合預(yù)算限制的MOSFET。

來源：汽車電子架構(gòu)與軟件開發(fā)

審核編輯：湯梓紅