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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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mt3608升壓模塊輸出升不上去(mt3608升壓模塊電路圖)
MT3608是一個小封裝SOT23,引間距離是0.95MM的升壓集成芯片,它應(yīng)用在是小封裝,低功率電路圖中。內(nèi)部集成了80毫歐的功率管。最高電壓可以達(dá)到...
穩(wěn)壓器不升壓怎么回事 升壓器和穩(wěn)壓器有什么區(qū)別
穩(wěn)壓器并不適用于直接對電機(jī)進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。電機(jī)通常需要特定的驅(qū)動電路或控制系統(tǒng)來進(jìn)行電壓、頻率和相位等方面的調(diào)節(jié),以滿足其運行要求。
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器開關(guān)穩(wěn)壓器 2807 0
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2057 0
在電源應(yīng)用中,哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求,工程師短時間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”(Figure of Merit, ...
SemiQ推出采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍,SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET,可與或不與1,200V SiC肖特基二...
2023-11-26 標(biāo)簽:MOSFET封裝數(shù)據(jù)中心 1606 0
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3697 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個顯著特點于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后,半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增,這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的,所以我們稱之為雪崩擊穿。
重負(fù)載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項
重負(fù)載時中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項
2023-12-14 標(biāo)簽:負(fù)載MOSFET開關(guān)元件 627 0
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