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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

功率MOSFET的UIS(UIL)特性深度解析

選擇一個(gè)工作點(diǎn)而不是另一個(gè)工作點(diǎn)作為數(shù)據(jù)表“最大”額定值的一些原因包括:選擇工作點(diǎn)作為在生產(chǎn)線末端測(cè)試時(shí)用于篩選器件的相同工作點(diǎn),或者出于營(yíng)銷或客戶目的...

2024-02-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管體二極管 2387 0

一款簡(jiǎn)單的MOSFET功率音頻放大器電路

一款簡(jiǎn)單的MOSFET功率音頻放大器電路

這款簡(jiǎn)單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個(gè)MOSFET(IRF9530和IRF530),可在45Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)8W的功率,在70...

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFET音頻放大器音頻電路 2381 0

新能源汽車電氣架構(gòu)與電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

新能源汽車電氣架構(gòu)與電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

隨著整車電氣負(fù)載的增加、 電氣架構(gòu)的發(fā)展、 新型能源的涌現(xiàn), 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)也隨之變革和優(yōu)化, 從開始的保障電網(wǎng)用電平衡、 用電安全, 逐步發(fā)展到電網(wǎng)的智...

2023-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車繼電器MOSFET 2379 0

大功率LED驅(qū)動(dòng)器可接受寬輸入電壓范圍

大功率LED驅(qū)動(dòng)器可接受寬輸入電壓范圍

隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對(duì)將LED與可用電源(電池、汽車電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...

2023-03-20 標(biāo)簽:電源ledMOSFET 2379 0

ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)

ADI技術(shù)文章 - 電池充電器的反向電壓保護(hù)

負(fù)載和充電器雖與反向電壓隔離,但是起保護(hù)作用的 MOSFET 現(xiàn)在面臨的一大問題是功耗過高。

2021-12-01 標(biāo)簽:MOSFET電池充電器電壓保護(hù) 2378 0

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器

雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開關(guān)和更高的效率,但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。

2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2377 0

深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。

2022-11-02 標(biāo)簽:mcuMOSFETIGBT 2375 0

用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)

用SiC驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的燈或電機(jī)

改變大功率燈或電機(jī)亮度的最佳技術(shù)之一是脈沖寬度調(diào)制 (PWM)。在汽車電子系統(tǒng)中,一段時(shí)間以來,控制單元使用 PWM 命令控制和管理各種執(zhí)行器。例如,柴...

2022-07-27 標(biāo)簽:微控制器MOSFETPWM 2368 0

如何設(shè)計(jì)和使用緩沖器

如何設(shè)計(jì)和使用緩沖器

  引言:一位朋友要求更一期Snubber的詳細(xì)介紹,這個(gè)拖更好久了,今天就補(bǔ)上!切斷電路中的電流時(shí),電路中的雜散電感會(huì)導(dǎo)致電壓急劇增加,緩沖器電路提供...

2023-09-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET緩沖器 2367 0

MOS管怎么用?從認(rèn)識(shí)米勒效應(yīng)、開關(guān)損耗、參數(shù)匹配及選型入手

要比喻的話,三極管像綠皮車,MOS管像高鐵。

2022-10-25 標(biāo)簽:三極管MOSFETMOS管 2359 0

如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路

如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路

為了實(shí)現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...

2021-10-22 標(biāo)簽:MOSFETPFC 2359 0

碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!

碳化硅(SiC)相較于硅(Si)有哪些優(yōu)勢(shì)!

硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了臨界點(diǎn),即無可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)推動(dòng)一項(xiàng)技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 2352 0

雙極步進(jìn)電機(jī)和單極步進(jìn)電機(jī)之間差異

雙極步進(jìn)電機(jī)和單極步進(jìn)電機(jī)之間差異

與兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路相比,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路在輸入段配置、內(nèi)部邏輯及控制電路和驅(qū)動(dòng)電路使用雙通道方面基本相同,但是輸出段的配置不同。兩相...

2023-03-10 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)電動(dòng)勢(shì) 2346 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感體二極管 2346 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...

2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2346 0

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡(jiǎn)析

MOSFET漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程簡(jiǎn)析

本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析,幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡(jiǎn)單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性,理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過...

2023-12-04 標(biāo)簽:三極管MOSFET可變電阻 2342 0

圖解數(shù)字電路基礎(chǔ)

圖解數(shù)字電路基礎(chǔ)

數(shù)字電路是利用電源電壓的高電平和低電平分別表示1和0,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)信息的表達(dá)。

2023-06-19 標(biāo)簽:模擬電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2339 0

圖騰柱PFC階段隨著SiC FET的成熟而成熟

圖騰柱PFC階段隨著SiC FET的成熟而成熟

這種布置的要點(diǎn)是,它可以被解構(gòu)為相當(dāng)于一個(gè)全橋交流整流器,然后是一個(gè)功率因數(shù)校正升壓電路,但實(shí)際上與功率流一致的元件更少,損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...

2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2339 0

基于DSP實(shí)現(xiàn)具有PID參數(shù)自整定功能的智能調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)

基于DSP實(shí)現(xiàn)具有PID參數(shù)自整定功能的智能調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)

由于經(jīng)驗(yàn)不易精確的描述,控制過程中各種信號(hào)及評(píng)價(jià)指標(biāo)不易定量的表示,模糊理論是解決這一難題的最好方法,運(yùn)用模糊控制規(guī)則,DSP根據(jù)電子負(fù)載系統(tǒng)的實(shí)際響應(yīng)...

2020-09-15 標(biāo)簽:dspmosfetpid 2337 0

光伏儲(chǔ)能有哪些芯片?

光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們?cè)谙到y(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2335 0

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  • IOT
    IOT
    +關(guān)注
    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
    +關(guān)注
  • STM32F103C8T6
    STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    硬件工程師Hardware Engineer職位 要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情;制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃;能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備,并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備;安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng);保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備;清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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    Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊,屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層,功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊,內(nèi)置無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng),是實(shí)現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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    LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器,能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流,同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V,可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào),通過光纖傳送后,接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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    光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的,在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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    STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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    +關(guān)注
    COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品,這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展,并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬,賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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    +關(guān)注
    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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    +關(guān)注
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    服務(wù)機(jī)器人
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    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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    +關(guān)注
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    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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