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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積介紹(2)
了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的安全工作面積(SOA)下
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案
介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該電路設(shè)計(jì)方案具有抗干擾能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確...
功率MOSFET的分類(lèi)及優(yōu)缺點(diǎn) 功率MOSFET的選型要求
在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
在上一篇文章中我們講述了反激電源變壓器設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ),本文將詳細(xì)講述反激電源變壓器在固定頻率下連續(xù)電流模式的設(shè)計(jì)過(guò)程,這是一個(gè)反復(fù)迭代至最終滿意的過(guò)程。...
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來(lái)看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
當(dāng)我們?cè)贕B之間加一個(gè)正電壓以后,便會(huì)在P區(qū)和O區(qū)之間形成N型半導(dǎo)體,從而使得SD導(dǎo)通;當(dāng)GB沒(méi)有電壓PO之間的N區(qū)就會(huì)消失,使得SD斷開(kāi)。
碳化硅相對(duì)于硅的特性和優(yōu)勢(shì)有哪些
未來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見(jiàn)的類(lèi)型
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開(kāi)關(guān)。
2024-03-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET安森美 2499 0
今天和大家分享一下MOSFET的設(shè)計(jì)參數(shù),MOSFET在電路設(shè)計(jì)中應(yīng)用非常廣泛,尤其是模擬電路中,各種電源變換,電機(jī)控制中都會(huì)看到MOSFET的身影,而...
MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件,在開(kāi)關(guān)電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導(dǎo)通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過(guò)程對(duì)于電源的穩(wěn)定輸出至關(guān)重要。
2024-04-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開(kāi)關(guān)電源 2498 0
三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問(wèn)題設(shè)計(jì)方案
在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題,因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。本文以半橋變換器為例,就這個(gè)問(wèn)題進(jìn)行討論并給出相應(yīng)方案。
場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)控制半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的電子器件。它在電子電路、信號(hào)處理、功率...
2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2488 0
目前的目標(biāo)是更加縮小設(shè)計(jì)尺寸并提高效率。為了達(dá)到目標(biāo)必須縮短開(kāi)關(guān)路徑以及在 Z 軸上重迭安裝器件。
2022-01-05 標(biāo)簽:pcbMOSFET降壓轉(zhuǎn)換器 2487 0
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí),會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2023-04-15 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 2485 0
RF技術(shù)被廣泛應(yīng)用于許多多領(lǐng)域,如:WLAN、手機(jī)、雷達(dá)、GPS、5G/6G、藍(lán)牙、電視、自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)等。在這些應(yīng)用當(dāng)中RF設(shè)計(jì)工程師使用EDA軟件為商...
高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享
近日,小編采訪了LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey,他總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問(wèn)題和親身設(shè)計(jì)心得、
2014-10-23 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng) 2484 1
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