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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關速度、高額定電壓和低導通 RDS(on) 使其對電源設計人員極具吸引力,這些設計人員不斷尋找提高效率和功率密...
該模塊內(nèi)置三個充電線圈,滿足手機不同擺放位置充電,內(nèi)置散熱風扇,加快空氣流通,能夠有效降低大功率無線充電的溫升,帶來更加快速的無線充電體驗,內(nèi)置三個充電...
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中,ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
SoC系統(tǒng)開發(fā)人員:FinFET對你來說意味著什么?
大家都在談論FinFET——可以說,這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜 (FDSOI...
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強等...
變壓器的匝數(shù)比為18:6:1。初級電感為800μH,額定電流為750mA(峰值),占空比始終小于50%。
高耐壓600V半橋柵極驅(qū)動器WD0412引腳參數(shù)與電路應用
WD0412 是一款基于懸浮襯底和 P_EPI 工藝的600V 高壓高低邊驅(qū)動器,具有高低邊兩路輸出,可以單獨驅(qū)動兩個高壓大功率 MOSFET 或 IG...
功率半導體自20世紀50年代開始發(fā)展起來,至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和...
開關電源變壓器在電力轉(zhuǎn)換與電子設備供電中扮演著至關重要的角色。它不僅能夠?qū)崿F(xiàn)電壓的變換,還具備隔離、穩(wěn)壓、濾波等多重功能,是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的一部分。
功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安...
MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積介紹(2)
了解MOSFET數(shù)據(jù)手冊中的安全工作面積(SOA)下
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