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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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簡單認(rèn)識功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點
功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 標(biāo)簽:電阻MOSFET場效應(yīng)管 2692 0
微控制器PWM外設(shè)及其目標(biāo)負載的同步與防止相位延遲方案
大多數(shù)微控制器至少有一個脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 外設(shè),以方波形式生成多個波形。這些 PWM 輸出可用于驅(qū)動同步負載,例如機械系統(tǒng)中的步進電機和電源轉(zhuǎn)換...
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實現(xiàn)穩(wěn)健...
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
JW5116杰華特完全兼容芯洲D(zhuǎn)CDC SCT2330 SCT2433STE 方案
JW5116杰華特完全兼容芯洲SCT2330同功能替代JW5116杰華特完全兼容芯洲SCT2433STE同功能替代產(chǎn)品描述JW5116F是電流模式單片式...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)...
高可用性系統(tǒng)中常見的兩種系統(tǒng)功率級別(–48 V和+12 V)使用不同的熱插拔保護配置。–48V 系統(tǒng)集成了低側(cè)熱插拔控制和調(diào)整 MOSFET;+12 ...
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因為SiC MOSFET開關(guān)頻率高達幾百K赫茲,門極驅(qū)動的設(shè)...
MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設(shè)計具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個方面,包括電容、體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一,其參數(shù)與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...
具有漏極開路,推挽和雙向復(fù)位輸出的監(jiān)控電路
推挽輸出由一對互補MOSFET組成(圖2)。此配置類似于比較器的輸出級。當(dāng)Q2關(guān)閉并且Q1打開時,RESET輸出變?yōu)楦唠娖?;?dāng)Q2打開并且Q1關(guān)閉時,R...
2021-04-30 標(biāo)簽:MOSFET比較器監(jiān)控電路 2643 0
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是...
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