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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 489 0
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
現(xiàn)代家長(zhǎng)都希望自己的孩子能夠贏在起跑線上,為未來的學(xué)習(xí)和事業(yè)打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。幼兒?jiǎn)⒚裳b備市場(chǎng)早已興起,互動(dòng)、點(diǎn)讀、故事、音樂、語數(shù)英教育為一身的認(rèn)讀機(jī)、...
DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)技巧分享
了解您所面臨的設(shè)計(jì)權(quán)衡非常重要。為了幫助你,在降壓設(shè)計(jì)中開發(fā)了一個(gè)“影響什么”的矩陣
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET示波器降壓轉(zhuǎn)換器 715 0
mosfet的三個(gè)電極怎么區(qū)分 mos管三個(gè)極電壓關(guān)系
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)有三個(gè)主要電極,分別是柵極(Gate)、漏極(Source)和源極(Drain)。這三個(gè)電極的區(qū)分方法如下
碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用前景
碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一,其能使系統(tǒng)效率更高,質(zhì)量更輕,結(jié)構(gòu)更緊湊。如今,碳化硅技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入以空調(diào)為代表的家電應(yīng)用場(chǎng)景來助...
開關(guān)電源和線性電源差異 開關(guān)電源220v轉(zhuǎn)24v原理
開關(guān)電源使用開關(guān)器件(如晶體管、功率MOSFET等)來快速切換電源電壓或電流,并通過濾波電路將輸出電壓調(diào)整為需要的直流電壓。開關(guān)電源利用開關(guān)的快速切換和...
2023-09-18 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源濾波電路 7779 0
如何利用N-MOSFET進(jìn)行電源防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)?
眾所周知,我們使用的大部分電子元件都是直流環(huán)境且電源正接下工作的,但是一旦電源出現(xiàn)反接的情況就有可能損壞電子元件,使其不能正常工作。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4423 0
變壓器因繞組層數(shù)較多,會(huì)產(chǎn)生分布電容,在高頻狀態(tài)下工作時(shí),這些分布電容對(duì)變壓器工作狀態(tài)產(chǎn)生很大的影響,如EMC變差、變壓器發(fā)熱等。所以盡必需要了解這些分布電容。
2023-09-17 標(biāo)簽:MOSFETEMC設(shè)計(jì)分布電容 3918 0
首先,類似 液晶背光或者我們用的臺(tái)燈等對(duì)于光亮強(qiáng)度比較敏感的LED應(yīng)用場(chǎng)景是不建議用恒壓驅(qū)動(dòng) ,因?yàn)殡妷旱牟▌?dòng)會(huì)直接影響到流過LED的電流;而LED也會(huì)...
針對(duì)常見的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來講,非隔離電源包括Buck、Boost、Buck-Boost等。
2023-09-15 標(biāo)簽:MOSFET振蕩器線性穩(wěn)壓器 1787 0
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長(zhǎng)到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲(chǔ)能方式
電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機(jī)向用戶提供電能。在美國(guó),由于儲(chǔ)能成本高昂并且設(shè)計(jì)和運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)有限,利用電力儲(chǔ)存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列可完美替換5ARxx
Chipown經(jīng)典多模式ACDC芯片PN8715H/PN8712H系列,可完美替代進(jìn)口工業(yè)級(jí)芯片5ARxx系列 。
2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET過壓保護(hù)器跨導(dǎo)放大器 2451 0
本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、...
PI新品LinkSwitch-XT2SR助力小型敞開式電源應(yīng)用案例
Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)宣布推出LinkSwitch-XT2SR系列離線、恒壓(CV)、非隔離反激式開關(guān)IC。
2023-09-13 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 957 0
三相MOSFET(三個(gè)半橋)門驅(qū)芯片-PT5671概述
PT5671 是為控制N溝道MOSFETs而設(shè)計(jì)的三相Gate驅(qū)動(dòng)IC。芯片內(nèi)部有3個(gè)半橋,共驅(qū)動(dòng)6個(gè)N溝道功率MOSFETs,每一路輸出均由單一邏輯輸...
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