繼上回的片狀鐵氧體磁珠之后，這次我們將為大家?guī)砥瑺钊?b class="flag-6" style="color: red">端子電容器的介紹。
2012-04-13 09:40:52
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什么叫米勒電容？如何作用和影響于MOSFET？
2019-05-12 07:27:0022239 
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個(gè)寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時(shí)，漏源之間也有一個(gè)寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時(shí)，MOSFET
2021-01-08 14:19:5915830 
什么是壓接？
壓接是在導(dǎo)線與端子的接觸區(qū)域施加壓力以使其成型并實(shí)現(xiàn)緊密連接的過程。
端子壓接的目的和要求是在壓接端子和導(dǎo)線之間提供不可分離的、長(zhǎng)期可靠的電氣和機(jī)械連接。壓接應(yīng)該易于制造。
2022-07-13 16:22:543971 
應(yīng)用。MOSFET由四個(gè)區(qū)域組成：源(Source)、柵(Gate)、漏(Drain)和互補(bǔ)區(qū)域。柵通過氧化層與溝道隔離，控制了溝道的電阻?？刂茤艠O電壓可以改變溝道中載流子的濃度，從而控制源漏電阻，實(shí)現(xiàn)了放大和開關(guān)功能。MOSFET主要分為兩種類型：N溝道型MOSFET和P溝道型MOSFET。
2023-02-25 16:23:533870 常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
和工作原理 功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在
2019-06-14 00:37:57
，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOSFET、PMOSFET、nMOSFET、pMOSFET等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">工作原理： 要使增強(qiáng)型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流
2020-07-06 11:28:15
的工作效率?？傊?，MOSFET的等效輸出電容對(duì)于LLC原邊MOSFET ZVS的實(shí)現(xiàn)是至關(guān)重要的。如果MOSFET已經(jīng)選定，諧振腔需要仔細(xì)計(jì)算、調(diào)試和設(shè)定，并選取合適的死區(qū)時(shí)間，來覆蓋所有負(fù)載的應(yīng)用范圍
2018-07-18 10:09:10
與Vds和Vgs的關(guān)系。對(duì)于MOSFET工作于開關(guān)的應(yīng)用，應(yīng)該使得MOSFET工作在“ohmic”區(qū)域，劃分ohmic區(qū)域與飽和區(qū)域的臨界線是由Vds=Vgs-Vgs(th)決定的。6. Rds
2018-07-12 11:34:11
接近導(dǎo)電損耗，嚴(yán)重影響能效。輸出電容與功率損耗之間的關(guān)系如公式2所示。這只是切換損耗的其中一個(gè)組成部分，但十分重要。當(dāng)選擇 MOSFET以及為MOSFET設(shè)計(jì)散熱片時(shí)，還必須考慮到切換期間的其它功率耗散
2014-10-08 12:00:39
MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下，電流相位上會(huì)超前電壓，因此保證了MOSFET運(yùn)行的ZVS。要保證MOSFET運(yùn)行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲(chǔ)
2018-11-21 15:52:43
的工作效率?？傊?，MOSFET的等效輸出電容對(duì)于LLC原邊MOSFET ZVS的實(shí)現(xiàn)是至關(guān)重要的。如果MOSFET已經(jīng)選定，諧振腔需要仔細(xì)計(jì)算、調(diào)試和設(shè)定，并選取合適的死區(qū)時(shí)間，來覆蓋所有負(fù)載的應(yīng)用范圍
2018-07-13 09:48:50
MOSFET的輸出電容和輸入電容是什么？
2017-07-21 11:24:47
第四部份似乎很相似，這樣做可行么？問題分析：系統(tǒng)短路的時(shí)候，功率MOSFET相當(dāng)于工作在放大的線性區(qū)，降低驅(qū)動(dòng)電壓，可以降低跨導(dǎo)限制的最大電流，從而降低系統(tǒng)的短路電流，從短路保護(hù)的角度而言，確實(shí)有一定
2016-12-21 11:39:07
電流以及驅(qū)動(dòng)平均損耗需要盡量高于最低值，避免MOSFET長(zhǎng)時(shí)間工作在線性放大區(qū)。圖12是MOSFET的I/V特性曲線，MOSFET工作在線性放大區(qū)時(shí)非完全導(dǎo)，通Vds之間出現(xiàn)高阻抗。MOSFET具有
2018-12-10 10:04:29
有的文獻(xiàn)說mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
LRI2K在最小13.56MHz工作功率下相應(yīng)的調(diào)諧電容值是多少呢？
2023-01-06 09:37:59
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個(gè)晶體管（某種晶體管）來打開和關(guān)閉它。P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管P溝道區(qū)域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個(gè)四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
，大部分電荷載流子是電子。增強(qiáng)模式和耗盡模式下的P溝道MOSFET符號(hào)如下圖所示：P溝道MOSFET包括一個(gè)P溝道區(qū)域，該區(qū)域布置在兩個(gè)端子之間，如源極 (S) 和漏極 (D) 并且主體為N區(qū)域。與N溝道
2022-09-27 08:00:00
（D）和源極（S）端子的方向。極性和MOSFET工作特性極性決定了MOSFET的工作特性。 對(duì)N溝道器件為正的電流和電壓對(duì)P溝道器件為負(fù)值。圖4：MOSFET第一象限特征在有充足電壓施加到柵-源極端子
2018-03-03 13:58:23
SG3525的3腳和4腳是怎么協(xié)同工作的？？？？
2021-01-16 18:28:18
llc諧振中，的感性區(qū)域和容性區(qū)域是根據(jù)什么區(qū)分的呢，大多數(shù)論文中只是說不能工作工作于容性區(qū)域，這是為啥呢？
感性區(qū)域是諧振電感電流滯后于諧振電容的電壓，為何就能實(shí)現(xiàn)zvs？
2023-08-01 10:48:44
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過了平臺(tái)區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對(duì)來說比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個(gè)安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
`請(qǐng)問三相電之間電阻是多少？`
2019-11-01 16:51:39
問一下通常的應(yīng)用中都有什么方式使兩片或多片430協(xié)同工作？
2015-01-19 19:27:49
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅
2017-12-18 13:58:36
及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。4、分布電容:分布電容是指線圈的匝與匝之間、線圈與磁心之間存在的電容。電感器的分布電容越小，其穩(wěn)定性越好。5、額定電流:額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過的最大電流
2016-05-23 11:40:20
前言： ESR和ESL，寄生電阻和寄生電感，因?yàn)榧纳姼械拇嬖?，?dǎo)致高頻信號(hào)的IL（插入損耗）較大，嚴(yán)重影響到電容的高頻濾波效果，因此發(fā)展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感
2023-03-29 11:33:38
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
)的結(jié)構(gòu)圖。雖然有不同的結(jié)構(gòu)，但其 工作原理是相同的，這里就不一一介紹了?！ 」β蕡?chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的工作原理要使增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間
2011-12-19 16:52:35
本篇應(yīng)用筆記介紹如何利用示波器檢測(cè)熱插拔電路MOSFET功耗和負(fù)載電容的精確值。
2021-05-08 08:48:00
計(jì)算MOSFET非線性電容
2021-01-08 06:54:43
的工作特性。 對(duì)N溝道器件為正的電流和電壓對(duì)P溝道器件為負(fù)值。圖4：MOSFET第一象限特征。在有充足電壓施加到柵-源極端子的歐姆區(qū)域（ohmic region），MOSFET“完全導(dǎo)通”。在對(duì)比圖中
2021-04-09 09:20:10
快速實(shí)現(xiàn)ARM和DSP的通信和協(xié)同工作
2012-08-17 14:08:39
怎么實(shí)現(xiàn)一個(gè)電子設(shè)備的不同工作模式，工作模式（待機(jī)，喚醒，自動(dòng)休眠，低功耗，低噪聲，極低噪聲），
2013-03-10 10:04:57
怎樣解決MOSFET并聯(lián)工作時(shí)出現(xiàn)的問題？ 來糾正傳統(tǒng)認(rèn)識(shí)的局限性和片面性。
2021-04-07 07:05:04
接線端子的工作原理 接線端子利用現(xiàn)有軌道式接線端子 RTB 連接技術(shù)，并加裝了電子元器件組成的電路，實(shí)現(xiàn)了光電過程的傳輸耦合。接線端子是為了方便導(dǎo)線的連接而應(yīng)用的，它其實(shí)就是一段封在絕緣塑料里面
2012-07-20 10:46:19
不同頻段的RFID產(chǎn)品會(huì)有不同的特性，本文詳細(xì)介紹了無(wú)源的感應(yīng)器在不同工作頻率產(chǎn)品的特性以及主要的應(yīng)用。目前定義RFID產(chǎn)品的工作頻率有低頻、高頻和甚高頻的頻率范圍內(nèi)的符合不同標(biāo)準(zhǔn)的不同的產(chǎn)品,而且
2019-10-09 07:17:59
測(cè)試電路(c) Crss測(cè)試電路(d) 標(biāo)準(zhǔn)的LCR圖2：寄生電容測(cè)試電路功率MOSFET柵極的多晶硅和源極通道區(qū)域的電容決定了這些參數(shù)，其不具有偏向的敏感度，也非常容易重現(xiàn)。溝槽型功率MOSFET
2016-12-23 14:34:52
向GND引腳注入電流，關(guān)閉MOSFET。SA和SB PinsGHA和GHB Pins直接連接到電機(jī)上，這些端子感應(yīng)負(fù)載上的電壓。這些端子還連接到自舉電容器的負(fù)極，是浮動(dòng)高端驅(qū)動(dòng)器的負(fù)極電源連接。來自高側(cè)
2020-09-29 16:51:51
電感和電容的測(cè)量原理是什么電感和電容測(cè)量時(shí)指針的指示范圍是多少電感和電容的測(cè)量方法，有什么注意事項(xiàng)？
2021-05-10 06:42:02
的開關(guān)時(shí)間和更大的電容。圖2顯示了兩個(gè)不同工作頻率（F）的關(guān)系。傳導(dǎo)損耗（P con）與工作頻率無(wú)關(guān)，而開關(guān)損耗（P sw F1和P sw F2）直接相關(guān)。因此，較高的工作頻率（P sw F2）會(huì)產(chǎn)生較高
2020-07-29 14:38:28
方式不同。源極和漏極端子之間的間隙由N型雜質(zhì)組成。當(dāng)在源極和漏極等兩個(gè)端子之間施加電位差時(shí)，電流會(huì)流過襯底的整個(gè)N區(qū)。當(dāng)在該MOSFET的柵極端施加負(fù)電壓時(shí)，電荷載流子(如電子)將在介電層下方的 N區(qū)域
2022-09-13 08:00:00
請(qǐng)問STM32怎么通過一個(gè)按鍵實(shí)現(xiàn)不同工作模式？stm32幾種低功耗模式的實(shí)現(xiàn)和差別是什么？
2022-02-23 06:23:38
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對(duì)于N（P
2008-08-12 08:43:32
103 在瓷片電容上，我們經(jīng)常會(huì)看到電容上有101、102、104這樣的標(biāo)識(shí)。那么，這樣的電容阻值是多少呢，如何計(jì)算其電容值，他們的耐壓值是多大，讓我們一起看看。
2016-10-09 10:10:0585286 
反激式光伏并網(wǎng)微逆變器不同工作模式的研究_周茜茜
2016-12-15 19:30:581 反激型光伏微型逆變器不同工作模式的分析與比較_石林
2016-12-15 18:02:430 基于交錯(cuò)反激的微型逆變器不同工作模式控制策略的仿真研究_胡林靜
2016-12-15 18:02:434 本文主要介紹了貼片電容100是多少_貼片電容讀數(shù)方法。電容標(biāo)100的話是指10PF，即10納法。比如：103，即10*10^3皮法=10納法，以此類推，前兩位數(shù)字代表有效數(shù)字，第三位代表10
2018-03-14 15:16:1358176
??? 編者按：PC接口品種繁多，本版將連載PC常用接口的端子功能，供產(chǎn)品設(shè)計(jì)和維修工作參考。
??? USB插頭各端子的功能見附表，其中標(biāo)準(zhǔn)A型主要用于臺(tái)式和筆記本電腦，而標(biāo)準(zhǔn)B型常用于打印機(jī)及移動(dòng)硬盤接口，迷你型則多見于數(shù)碼相機(jī)等。附圖a~e為常用USB插座的端子排列。
2018-09-20 18:25:111539 接線端子在裝配的全過程中，一定要經(jīng)得住預(yù)熱區(qū)域的高溫及其經(jīng)過波峰焊接傳輸至端子本身的溫度。焊劑不能影響到端子，一定要便于消除，不可以有一點(diǎn)殘留物。
2020-03-22 17:13:0011704 一個(gè)1V的交流信號(hào)，連接著一個(gè)1Ω電阻和一個(gè)1Ω電抗的電容。在電容兩端的交流電壓是多少？
2020-07-14 14:34:416409 
鉭電容額定溫度環(huán)境是多少，鉭電容又稱為（貼片電容），額定環(huán)境溫度是指鉭電容的工作周圍溫度。因?yàn)殂g電容的可靠性和電參數(shù)隨溫度而變化，因此，必須限定鉭電容能承受的氣候條件。最重要的氣候因素是容許的最低
2020-12-01 12:47:044300 工作在容性區(qū)域的話電流超前于電壓，對(duì)于前級(jí)開關(guān)管而言容易實(shí)現(xiàn) ZCS 關(guān)斷，這個(gè)區(qū)域比較適合 IGBT；工作在感性區(qū)域的話電壓超前于電流，對(duì)于前級(jí)開關(guān)管而言容易實(shí)現(xiàn) ZVS開通，這個(gè)區(qū)域比較適合 MOSFET；
2020-12-07 14:51:1523176 
東莞連接線之端子線的壓緊機(jī)構(gòu)是什么?以字母數(shù)字符號(hào)標(biāo)志端子線的原則和方法，單個(gè)元件的兩個(gè)端點(diǎn)用連續(xù)的兩個(gè)數(shù)字表示。 單個(gè)元件的中間各端子用自然遞增數(shù)序的數(shù)字表示。相同元件組，在數(shù)字前冠以字母，如標(biāo)志
2021-01-19 15:17:082613 MOSFET是具有源極（Source），柵極（Gate），漏極（Drain）和主體（Body）端子的四端子設(shè)備。通常，MOSFET的主體與源極端子連接，從而形成諸如場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端子器件。MOSFET通常被認(rèn)為是晶體管，并且在模擬和數(shù)字電路中都使用。
2021-04-27 10:03:4240179 
接線端子就是一種用于實(shí)現(xiàn)電氣連接的配件產(chǎn)品，隨著電子行業(yè)的發(fā)展，接線端子的使用范圍和種類都越來越多。 接線端子工作原理 接線端子利用軌道式接線端子連接電子元器件。 ? ? ? ?一端金屬片封在絕緣
2021-08-17 17:16:226960 MOSFET門 源極并聯(lián)電容后，開關(guān)可靠性得到提升開關(guān)電路如下圖電路解釋開關(guān)電路如下圖電路解釋1.該電路用于高邊開關(guān)，當(dāng)MOS_ON 網(wǎng)絡(luò)拉低到地時(shí)，開關(guān)Q1導(dǎo)通；2.電路中D3作用為鉗位Q1門源
2022-01-10 10:14:0911 許多剛?cè)胄械牟少?gòu)可能對(duì)包裝規(guī)格不太了解，不知道一盤貼片電容是多少PCS?，接下來平尚科技就拿代理的國(guó)巨貼片電容和自主品牌貼片電容講解一下。
2022-02-14 11:59:061540 
因?yàn)榧纳姼械拇嬖?，?dǎo)致高頻信號(hào)的IL（插入損耗）較大，嚴(yán)重影響到電容的高頻濾波效果，因此發(fā)展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感更小，在高頻范圍中阻抗相對(duì)普通電容更低，在高頻域?yàn)V波效果更出眾。
2022-08-17 09:58:462330 
對(duì)于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)過程中，會(huì)形成平臺(tái)電壓，引起開關(guān)時(shí)間變長(zhǎng)，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:378282 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三個(gè)傳感器協(xié)同工作的智能狗碗.zip》資料免費(fèi)下載
2022-11-17 10:28:170 在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:551975 “什么是接線端子?！薄斑@兩者與連接器有什么區(qū)別?！跋嘈藕芏鄤偨佑|電力的人都會(huì)有這樣的疑惑，分不清彼此之間的關(guān)系。今天康瑞連接器廠家就來告訴大家什么是接線端子和連接器。
2023-03-09 15:37:49321 很多電子元器件都害怕高溫，對(duì)于X2安規(guī)電容也不例外，高溫也極容易導(dǎo)致X2電容損壞，在特別高的溫度環(huán)境下工作，X2電容的壽命也會(huì)變短，甚至損壞，x2電容工作溫度范圍是多少？
2023-05-04 17:29:02611 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊(cè)中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311176 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
CBB21和CBB22電容是同一種電容器，在使用的時(shí)候，一般大家都知道它的工作溫度，正常的CBB21電容的工作溫度上限一般都是105℃，那些市面上打價(jià)格戰(zhàn)的劣質(zhì)CBB21電容的工作溫度上限是85
2021-12-10 09:56:56712 
了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這篇文章中，我們將全面討論MOSFET數(shù)據(jù)表
2022-05-11 09:59:021108 
MMKP82電容屬于雙面金屬化諧振電容器，它一般用在大功率電源上面，而這些電源散熱量特別大，所以對(duì)MMKP82諧振電容的耐溫要求也比較高，MMKP82電容的使用溫度是多少呢？MMKP82電容由于
2021-12-27 14:04:40916 
CBB22電容使用的頻率特別高，甚至可以說，所有CBB電容里面，就CBB22電容使用頻率最高，屬于使用量最大的一類薄膜電容器，有人在問：cbb22電容是多少微法？cbb22電容是多少微法？答案
2023-01-12 11:28:251800 
X2安規(guī)電容的型號(hào)還是非常多的，而且它有很多尺寸供選擇，不過事實(shí)上，安規(guī)電容雖然型號(hào)極多，常用的并不是特別多，像104、224等就是最常用的型號(hào)，安規(guī)電容104k是多少uF？X2安規(guī)電容的容量
2023-02-23 17:01:357436 
在CBB22電容選型的時(shí)候，需要重點(diǎn)考慮的一個(gè)參數(shù)就是它的容量大小，cbb22電容容量是多少？cbb22電容容量是多少答案是：CBB22電容是一類電容器的總稱，它屬于金屬化聚丙烯薄膜電容器，它的容量
2023-03-27 17:09:561501 
MOSFET安全工作區(qū)域SOA是啥?了解MOSFET安全工作區(qū)域SOA如果您想知道或擔(dān)心您的MOSFET在極端條件下或極端耗散情況下究竟能承受多少功率，那么您應(yīng)該查看器件的SOA數(shù)據(jù)。在這
2023-05-09 09:47:03861 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352977 
官方提供了多篇文檔說明如何配置 Cilium 和 BGP 協(xié)同工作，本文主要對(duì)以下部分功能進(jìn)行驗(yàn)證
2023-08-15 09:15:15720 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類型，通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331160 
x2電容工作溫度范圍是多少？它真的耐高溫嗎？? 首先，我們需要了解什么是x2電容。X2電容是一種可用于電子電氣設(shè)備中的特殊類型電容器。它是一種安全等級(jí)比較高的金屬化聚丙烯薄膜電容器，在交流電路中用
2023-09-22 16:35:22553 。自然電容指兩個(gè)電極之間的空氣電容，而薄膜電容是指電容器的兩個(gè)電極之間的導(dǎo)電薄膜電容。 二、怎么知道電容的SFR是多少 電容的SFR是決定電容性能的一個(gè)重要參數(shù)。了解電容的SFR有助于我們?cè)谠O(shè)計(jì)和選擇電路時(shí)更加精確。一般情況下，電容的SFR可以通
2023-10-23 09:52:16574 ，當(dāng)電壓在兩個(gè)電極之間反向施加時(shí)，MOSFET會(huì)進(jìn)入反向電阻工作區(qū)，這可能導(dǎo)致器件損壞甚至燃燒。 反向電阻是指在MOSFET的漏極和源極之間，當(dāng)控制電壓在零或負(fù)偏置時(shí)，電阻值會(huì)變得非常小，導(dǎo)致電流產(chǎn)生反向流動(dòng)。這種情況通常發(fā)生在高反向電壓下，由于電場(chǎng)
2023-10-26 11:38:19435 什么是三端子電容？為什么三端子電容的ESL??？為什么三端子電容的高頻特性好呢？ 三端子電容是一種特殊的電容器，由三個(gè)電極組成。這三個(gè)電極通常被稱為主電極、輔助電極和屏蔽電極。三端子電容器具有獨(dú)特
2023-11-22 17:33:19501 不同。在本篇文章中，我們將詳細(xì)討論MOSFET的工作原理以及JFET和MOSFET之間的區(qū)別。 首先，讓我們來了解MOSFET的工作原理。MOSFET由P型/ N型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，它們之間被一層絕緣物（通常是二氧化硅）隔離，形成了一個(gè)稱為柵氧化物的絕緣層。MOSFET有三個(gè)主要的電極：柵極、漏
2023-11-22 17:33:301061 端子機(jī)的工作原理是什么？端子機(jī)使用前檢測(cè)要注意哪些？ 端子機(jī)是一種用于連接電線與端子的自動(dòng)化設(shè)備，用于提高電氣連接的效率和質(zhì)量。它主要由機(jī)械結(jié)構(gòu)、電器元件、傳感器、控制系統(tǒng)等多個(gè)部分組成，通過各種
2023-12-09 14:15:26592 X安規(guī)電容是一種用于抑制差模干擾的電容器，通?？缃釉陔娏€兩線之間，即“L-N”之間。
2024-01-18 09:42:02330 通過電池的能量?jī)?chǔ)存、電機(jī)的轉(zhuǎn)換能量以及電控系統(tǒng)的運(yùn)行控制，實(shí)現(xiàn)了汽車的動(dòng)力輸出。下面將詳細(xì)介紹三電系統(tǒng)的協(xié)同工作原理以及各個(gè)部分的功能和之間的關(guān)系。 首先，我們來看動(dòng)力電池的作用。動(dòng)力電池是新能源汽車儲(chǔ)存能量
2024-01-18 16:37:54209 原文來自我的原創(chuàng)書籍《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》： 電容分為陶瓷電容、電解電容等種類，陶瓷電容在移動(dòng)智能產(chǎn)品中使用廣泛，又可分為兩端子電容和三端子電容。人們常說三端子電容高頻特性
2024-02-21 14:53:28201 
它們對(duì)飽和區(qū)的定義有一些差別。 首先，讓我們從基本原理開始理解飽和區(qū)。在晶體管中，飽和區(qū)是電流最大的區(qū)域，通常被用來實(shí)現(xiàn)開關(guān)操作。晶體管在飽和區(qū)工作時(shí)，處于最低的電壓狀態(tài)，導(dǎo)通電流較大。然而，飽和區(qū)的定義在IGBT和MOSFET之間有所區(qū)別。 IGBT是一種三極管結(jié)構(gòu)
2024-02-18 14:35:35327 X安規(guī)電容是 X安規(guī)電容的特點(diǎn)介紹 X電容耐壓等級(jí)是多少你知道嗎？ X安規(guī)電容是目前市場(chǎng)上主要應(yīng)用于電子產(chǎn)品的電容器之一。它具有一系列特點(diǎn)，包括高質(zhì)量、穩(wěn)定性強(qiáng)、使用壽命長(zhǎng)、噪音小等特點(diǎn)。此外
2024-03-14 15:46:32124
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