MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。它是一種電子器件，可用于放大、開關(guān)和其他應(yīng)用。MOSFET由四個(gè)區(qū)域組成：源(Source)、柵(Gate)、漏(Drain)和互補(bǔ)區(qū)域。柵通過氧化層與溝道隔離，控制了溝道的電阻。控制柵極電壓可以改變溝道中載流子的濃度，從而控制源漏電阻，實(shí)現(xiàn)了放大和開關(guān)功能。MOSFET主要分為兩種類型：N溝道型MOSFET和P溝道型MOSFET。

N溝道型MOSFET中，溝道是由N型半導(dǎo)體形成的，通常是多晶硅或硅基的。柵極放置在溝道上方，與溝道之間的氧化層隔離。源和漏是在N型溝道的兩側(cè)。當(dāng)正電壓被施加到柵極上時(shí)，柵極和溝道之間的氧化層會(huì)被擊穿，形成一個(gè)導(dǎo)通通道，從而使電流從源極流到漏極。控制柵極電壓可以控制溝道電阻，從而控制源漏電阻和電流流動(dòng)。

P溝道型MOSFET中，溝道是由P型半導(dǎo)體形成的。源和漏是在P型溝道的兩側(cè)，柵極放置在溝道上方，與溝道之間的氧化層隔離。與N溝道型MOSFET類似，當(dāng)負(fù)電壓被施加到柵極上時(shí)，柵極和溝道之間的氧化層會(huì)被擊穿，形成一個(gè)導(dǎo)通通道，從而使電流從源極流到漏極?？刂茤艠O電壓可以控制溝道電阻，從而控制源漏電阻和電流流動(dòng)。

MOSFET的工作原理

MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的工作原理類似于JFET，但MOSFET使用了一層絕緣氧化物(通常是二氧化硅)來隔離金屬門極與半導(dǎo)體的直接接觸，從而可以在門極和通道之間形成一個(gè)電容。MOSFET有三個(gè)端口：源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。

當(dāng)MOSFET的柵極電壓為零時(shí)，通道完全截止，沒有漏極電流通過。當(dāng)在柵極施加正電壓時(shí)，電子會(huì)被吸引到接近通道的表面形成一個(gè)電子云，這個(gè)電子云就構(gòu)成了一個(gè)導(dǎo)電通道，從而允許漏極電流流過。當(dāng)柵極電壓繼續(xù)增加時(shí)，導(dǎo)電通道的寬度增加，漏極電流也隨之增加，同時(shí)MOSFET的內(nèi)阻減小。

與JFET不同，MOSFET的柵極電容很大，所以只需要很少的電流即可控制通道中的電流，從而實(shí)現(xiàn)了高輸入電阻和低噪聲。

MOSFET還有另一種類型，稱為增強(qiáng)型MOSFET(Enhancement MOSFET)，它的通道處于截止?fàn)顟B(tài)，只有當(dāng)施加正電壓到柵極時(shí)，才會(huì)導(dǎo)致通道被激活，從而允許漏極電流流過。增強(qiáng)型MOSFET比耗盡型MOSFET更常見，因?yàn)樗菀卓刂?，且具有更好的性能?/p>

MOSFET的特點(diǎn)

MOSFET具有以下特點(diǎn)：

高輸入電阻：MOSFET的輸入電阻很高，約為數(shù)百兆歐姆至幾千兆歐姆，比BJT高得多，因此對(duì)輸入信號(hào)的影響很小。MOSFET的輸入阻抗比BJT大得多，因此在輸入信號(hào)比較弱的情況下更容易被驅(qū)動(dòng)，且不會(huì)對(duì)輸入信號(hào)產(chǎn)生太大的負(fù)載效應(yīng)。

高速開關(guān)特性：MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理使其具有很高的開關(guān)速度，可達(dá)數(shù)十兆赫茲至數(shù)百兆赫茲。

可控性強(qiáng)：MOSFET的柵極電壓可以控制器件的輸出電流，控制器件的閾值電壓即可控制MOSFET的導(dǎo)通與否。

低噪聲：由于MOSFET的輸入阻抗高，內(nèi)部無PN結(jié)，因此噪聲系數(shù)比BJT要低很多，適合于低噪聲電路的設(shè)計(jì)。

耐電壓高：MOSFET的耐壓一般在幾十伏至數(shù)百伏以上，可以滿足大多數(shù)應(yīng)用的要求。

體積小、重量輕：MOSFET是一種半導(dǎo)體器件，與其他電子器件相比，它的體積較小、重量較輕，便于集成和應(yīng)用。

可靠性高：MOSFET不容易出現(xiàn)飽和現(xiàn)象，故溫度系數(shù)低，性能穩(wěn)定，且壽命長。

低功耗：MOSFET的開關(guān)電路功耗低，因此在高頻率、低功率應(yīng)用中被廣泛應(yīng)用。

與集成電路兼容性好：MOSFET可以與其他半導(dǎo)體器件集成在一起，形成高集成度的電路，適合于微電子器件和集成電路的應(yīng)用。

高頻特性優(yōu)秀：由于MOSFET內(nèi)部沒有PN結(jié)，不存在載流子的復(fù)合與移動(dòng)導(dǎo)致的存儲(chǔ)效應(yīng)，因此具有很好的高頻響應(yīng)特性。

體效應(yīng)：MOSFET的電流主要是通過擴(kuò)散層和反型溝道區(qū)的摻雜濃度決定的，可以通過控制柵極電壓調(diào)節(jié)摻雜濃度，從而達(dá)到控制電流的目的。這種調(diào)節(jié)電流的方式稱為“體效應(yīng)”。

電壓控制電流：MOSFET的輸出電流可以通過控制柵極電壓實(shí)現(xiàn)，而BJT的輸出電流是由輸入電流控制的，因此MOSFET更適合用于電壓控制電流的場合。

容易集成：MOSFET的工藝步驟比較簡單，容易與其他器件集成在一起，可以實(shí)現(xiàn)更加復(fù)雜的功能。